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氮矽科技AC-DC氮化镓集成芯片为高效电源解决筹划注入新活力_芯片_氮化

神尊大人 2024-11-11 08:53:12 0

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DXP8001FA产品图

DXP8001FA为高效电源办理方案注入新活力

DXP8001FA是一款高度集成的650V、165mΩ GaN AC-DC功率转换芯片,它通过将高压GaN与AC-DC掌握芯片集成在一起,有效降落了电路设计和调试的难度。
这款芯片的上风在于它可以简化电路设计、减小PCB占板面积,并降落产品调试的难度。
除此之外,它还具有宽VCC事情电压范围(9V-85V),可以覆盖3.3V-21V的PD/PPS输出范围,且无需额外的VCC绕组或线性降压电路。
这些特点使得DXP8001FA成为高效、紧凑、高性价比的功率转换办理方案。

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DXP8001FA运用事理图

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(图片来自网络侵删)

DXP8001FA具有高效、稳定、低损耗、易于利用的特点,有效提升了运用工程师的利用体验:

1、完善的各项保护及自动规复功能VCC过压/输出过压保护

当VCC或输出电压超过预设阈值时,过压保护电路会立即采纳行动。
会立即停滞芯片驱动输出并进入重启模式。
这种保护方法可以有效避免电路中的元器件过载或破坏,从而避免电路故障或失火等危险情形的发生。

发生保护,停滞驱动输出,开始进入Restart过程

OPP (过功率)保护

通过监测COMP电压,OPP保护电路剖断功率是否超过设定值并采纳相应的保护方法。
当COMP电压超过VOPP并持续42ms以上时,芯片剖断为OOP保护并进入重启模式。
此保护方法能有效保护设备免受电流过载、短路等多种故障影响,增加产品可靠度与利用寿命。

BROWN IN

在系统启动过程中,PWM掌握器会发送一系列的脉冲进行各种检测,个中一项便是BROWN IN检测。
在这个阶段,如果从FB PIN流出的电流大于IBIN(~95UA),那么芯片就会剖断BROWN IN认定条件已经知足,然后进行正常的启动过程。
如果在 BROWN IN检测阶段未知足这个条件,那么在发送一系列窄脉冲之后,芯片将会重启。

BROWN OUT

在芯片的正常事情过程中,当原边MOS管导通时,会检测FB引脚的电流。
如果该电流小于IBNO(~85UA),并且持续韶光≥42毫秒,那么芯片将判断VBULK电压过低,发生BROWN OUT征象。
在这种情形下,芯片将驱动输出并进入重启过程。

CS短路保护

如果GaN管导通3.6微秒后,CS电压仍未达到VCS_Sh(-50MV)阈值,那么芯片将被迫关闭驱动器。
如果这种情祝在连续三个周期内涌现,芯片将进入保护和重启模式。
可以担保芯片的安全和可靠性,并防止进一步的故障发生。

发生保护,停滞驱动输出,开始进入Restart过程

除了上述保护机制,DXP8001FA还供应了其他主要的芯片保护机制,包括输出同步整流短路保护、过温保护 (OTP)以及逐周期最大电流限定等。
这些保护机制有助于确保芯片的安全性和稳定性,提升芯片的利用寿命以及产品的可靠性。

2、专有的软启动电路可以降落SR VDS应力

当电源上电时,由于输出电压会瞬间上升,这可能会引起过高的电压应力,导致器件破坏或降落其寿命。
为办理此问题,DXP8001FA采取多段启动办法,通过逐渐增加输出电压,根据不同负载和输出条件调度事情模式为DCM/QR。
在轻载情形下,芯片将进入Burst模式以提高效率。
通过采取多段启动办法和根据负载和输出条件调度事情模式,DXP8001FA能够有效地办理电源上电时的问题,并根据实际需求供应高效的电源输出。

3、超低的寄生电感

当前65W PD充电器的常见地决方案是采取普通的分离掌握器与外置GaN相结合。
然而,在高频条件下,这种方案的PCB走线和芯片封装内部的寄生电感会产生更为严重的滋扰。
与之比较,DXP8001FA芯片内置了等效电路,能够在高频条件下仅存在一种寄生电感,从而提高了系统的稳定性。
此外,该芯片外围电路十分大略,极大减少了产品在进行PCB布局时的韶光花费,并降落了产品调试的难度。

4、优化的各点效率-随意马虎知足能效标准

DXP8001FA采取DFN8×8封装,有效办理了大功率段设计及运用中芯片温升较大的问题。
其130KHZ的开关频率使得该芯片适用于各种须要高效率、高功率密度和良好散热性能的电源产品,如开关电源、适配器、电动汽车充电桩等。
针对PD/快速充电的不同输出电压需求,它可以调度为在不同负载和输出条件下事情于DCM/QR模式,并在轻负载条件下事情于突发模式,以提高效率并知足不同能效标准的需求。

氮矽科技PD65W(2C1A)参考设计

当前,环球范围内确当局和组织都在强调能源效率提升和碳排放减少的主要性。
而在节能电源中,氮化镓发挥着举足轻重的浸染,其能够提高效率,降落转换过程中的功率丢失。
相较于传统的硅基MOSFET,GaN集成芯片在器件尺寸、导通电阻以及事情频率等方面具有显著上风。
利用GaN集成技能,可以缩小办理方案的整体尺寸,提升效率;同时降落设计难度,使设计职员能够设计出更高效、紧凑的电源办理方案。

DXP8001FA充分结合高效率、高功率密度、高可靠性和高开关频率等特性,冲破了传统AC-DC转换器的局限,极大地简化了AC-DC转换器的设计和制造过程。

氮矽科技拥有最全氮化镓产品线,全面布局氮化镓市场

DXP系列利用了PWM掌握器与氮化镓晶体管集成技能,简化PCB布板设计,具有低损耗、低本钱、高可靠性等特点。
在DXP8001FA的根本上并操持推出针对65W以下PD和适配器市场的AC-DC氮化镓集成芯片。
此外,氮矽科技还拥有DX系列(650V GaN HEMT)、DXC系列(PIIP GaN驱动集成系列)、DX Driver以及即将推出的低压GaN系列。
全面的氮化镓产品线,显示了氮矽科技在氮化镓领域的丰富技能积累,使其在工业领域市场具有较高的竞争力和市场地位。

氮矽科技一贯致力于引领氮化镓技能的创新发展,加速氮化镓的运用遍及。
通过践行可持续发展理念,氮矽科技将与您共创绿色未来。

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