台积电取得CN112018178B专利实现在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙_栅极_多个

专利择要显示，多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和临近的源极/漏极部件之间形成气隙。
包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极构造形成在第一鳍元件的沟道区上方。
形成气隙，使得气隙设置在第一栅极构造的部分的侧壁上。
外延源极/漏极部件毗邻气隙。
第一栅极构造的部分也可以设置在多个硅层的第一层和第二层之间。
本发明的履行例还涉及制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法。

本文源自金融界