当前市情上涌现的电池管理系统大多数采取 Si MOS，由于 Si MOSFET 具有寄生二极管，必须成对利用，才能进行充电电流、放电电流的掌握。这种设计使得电池管理系统能够更加精确地监测和管理电池的状态，从而供应更稳定和可靠的性能。
BMS的紧张功能包括实时监测电池的电压、电流和温度等参数，并根据设定的保护阈值进行掌握。当电池电压超过设定的最大值时，BMS会割断充电电流，以防止过充电；而当电池电压低于设定的最小值时，BMS会割断放电电流，以防止过放电。此外，BMS还可以根据电池的温度变革来调度充放电速率，以确保电池在适宜的温度范围内事情。
充电头网理解到，针对 BMS 运用领域，英诺赛科开拓了 48V/120A BMS 评估板（INNDBMS120LS1），采取新品 100V 双引导通芯片 VGaN 实现充放电掌握与保护，从而大幅减少 PCB 占板面积，降落系统本钱。
英诺赛科的BMS方案拥有诸多上风。其面积仅为65mm180mm，比传统的Si MOS方案减少了40%的PCB占板面积和降落了PCB本钱。这不仅提高了效率，还有助于降落本钱。
英诺赛科在设计中充分考虑了VGaN封装特点，通过优化PCB布局，实现了卓越的散热性能，大大提高了系统的可靠性。同时，其VGaN（INV100FQ030A）还具备双引导通功能，能够以一颗VGaN替代两颗Si MOS，从而显著降落了开拓本钱。这些特性使英诺赛科的BMS方案成为一种高效、经济且多功能的选择，适用于各种运用处景。
BMS 系统框图该方案支持利用当前主流的低边AFE进行充电和放电掌握，并且通过专门设计的逻辑转换电路与现有Si方案的CHG/DSG掌握逻辑完美兼容，为系统集成供应了更大的灵巧性。
VGaN INV100FQ030AVGaN INV100FQ030A是实现BMS系统功能的关键，这是英诺赛科自研的新型功率器件，采取 4mmx6mm FCQFN 封装，支持双引导通，双向截止，导通电阻仅为 100V/3.2mΩ，同时具备无反向规复、超低栅极电荷等特性。
在 BMS 运用中，当系统须要正常充电或者正常放电时，通过在 Gate-D1 或者 Gate-D2 之间施加 5V 驱动电压，可以将 VGaN 完备打开，实现系统充电或者放电；当系统须要充电保护或者放电保护时，VGaN 的 Gate 旗子暗记可以被主动连接到D1或D2，实现系统充电关断或者放电关断，同时利用 VGaN 的“体二极管”特性，电路可以实现充电保护后放电，或者放电保护后充电；因而可以实现一颗 VGaN 更换一对 CHG、DSG MOS 的功能。
在同等 100A 负载电流情形下， Si MOS 串并联的 BMS 方案须要20颗器件实现，而采取 VGaN 的 BMS 方案 INNDBMS120LS1 仅需8颗即可知足 100A温升需求，器件数量减少了一半以上，在热性能上上风显著。
充电头网总结英诺赛科的BMS方案具有紧凑的尺寸、出色的散热性能。该方案减少了PCB本钱，大大提高了系统效率和可靠性，并显著降落了开拓本钱。而作为BMS系统功能的关键器件VGaN INV100FQ030A具备双引导通功能，能够以一颗VGaN替代两颗Si MOS，在同等负载的情形下器件减少一半以上，热性能上风显著。
