在计量芯片的运用过程中，我创造大多工程师朋友对给计量芯片的供电办法有疑问，尤其是在利用分流电阻采样办法设计事理图，对供电电源利用办法会进入一个误区，这个缘故原由多是基于从安全角度考虑时引起的。
电阻采样电路
先从官方给出的两份标准的设计参考开头，这是两份范例的设计参考，图一是基于电阻采样的办法的计量电路，图二是基于互感器采样的办法的计电路。
图 1 电阻采样办法设计参考
l 旗子暗记采样的基本事理
计量芯片须要对电旗子暗记进行丈量，须要分别对电压和电流旗子暗记进行采样，根据上图，我们对旗子暗记采样进行剖析。
1、 电压旗子暗记采样：
L经由5个200K电阻和1K电阻分压后连接到N，1K电阻两端的电压输入至VP PIN，计量芯片通过丈量VP的电压，就可以采样到L线的电旗子暗记。
2、 电流旗子暗记采样：
对电流旗子暗记的采样是通过对1mR采样电阻两端的电平进行采样，由于 U = IR，R即是1mR,U可以通过计量芯片进行丈量得到，那么也就间接采样到I的旗子暗记。
得到电压旗子暗记和电流旗子暗记后，根据算法，计量芯片HLW8110就可以打算出有效电压、有效电流和有功功率等电能参数。
l 计量芯片的内部构造
下图是HLW8110的内部构造框图,从实质上来，计量芯片是属于ADC的一类，只不过我们常常用到的ADC芯片是用来丈量直流旗子暗记的，而计量芯片是用来测互换旗子暗记的。被采样的旗子暗记是通过IAP\IAN\VP\GND引脚进入到芯片内部，然后通过PGA（运放）进入到ADC进行采样，而ADC模块的1.25V的VREF是通过供电电源VDD转化而来的，VRFF的参考地是GND。
图 2 HLW8110内部框图
l 丈量事理
由于旗子暗记采样电路的电平是N为参考的电平旗子暗记，如图1，电压采样旗子暗记的电平VP的电平因此N为参考点的电平旗子暗记。电流采样的旗子暗记电平1mR采样电阻两端的电平是也因此N为参考点的电平旗子暗记。
如图2，运放的VREF因此GND为参考点的参考电压，以是送到计量芯片的旗子暗记也必须以GND为参考，才能进行有效的丈量。
我们都知道，丈量必须有一个统一的参考，才可能进行有效的丈量，以是在设计电路时，我们须要把N和GND连接起来，形成同一个参考。
l 设计电路时随意马虎忽略的一个问题
我们常常会从安全角度考虑，由于担心强电有危险，在图1的电路上，刻意不将N和GND进行短接，如下图,实在这是一种缺点的接法，没有统一的参考点，如何能够进行精确的丈量呢。
图 3 缺点的电路设计图
互感器采样电路
下图是互感器的设计参考，电流和电压的采样旗子暗记是通过互感器变比后的旗子暗记，然后送到HLW8110进行采样。
图 4 互感器采样办法设计参考
那么为什么两份设计参考，图一是N和GND相连，而图四的N和GND不相连?
由于互感器的被测旗子暗记己经不是L和N了，而是变比之后的旗子暗记，我们只要担保变后的旗子暗记和GND在同一个参考点就可以。
安全性
从安全性方面来讲，互感器采样办法是优于电阻采样办法，由于互感器采样将强电旗子暗记从源头己经开始隔离，那么在碰着强电设计的产品，我们该当从哪几个方面加强安全性，有如下方法：
1、 外壳绝缘,这是最好的方法，外壳完备绝缘，基本己经担保产品的安全性。
2、 改量以N线做为参考地，在N线不能做为参考地的前得下，再利用L为参考地，由于N对大地的压降是0V,而L对大地的压降是220V。
