一、TSS的简介
半导体放电管, 简称TSS。TSS 是根据可控硅事理采取离子注入技能生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速相应（相应韶光ns级）、浪涌接管能力较强、双向对称、可靠性高档特点。 由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管利用。 但它的导通特性靠近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中利用时必须加限流组件，使其续流小于最小坚持电流。 半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。
TSS的选型技巧：
1、TSS的Vdm应高于被保护电路的最大直流或连续事情电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。若选用的Vdm太低，器件可能进入雪崩或因反向泄电流太大影响电路的正常事情。串行连接分电压，并行连接分电流；
2、迁移转变电压VBO必须小于被保护电路所许可的最大瞬间峰值电压；
3、TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；
4、根据PCB布局或喜好选用TSS封装构造。
TSS 利用领域
半导体放电管TSS广泛运用于通信、安防、工业等电子产品的通信线保护中。
1、RS232/RS422/RS485 接口
2、XDSL 和 ISDN、HDSL 传输设备
3、用户前端设备，如：电话机、传真机、Modem
4、T1/E1接口
5、仪器仪表、及其配线架、以太网、CATV设备
6、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中
TSS紧张参数
l 断态电压 VRM 与泄电流 IRM：断态电压 VRM 表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的泄电流 IRM。
l 击穿电压 VBR：通过规定的测试电流 IR（一样平常为 1mA）时的电压，这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。
l 迁移转变电压 VBO 与迁移转变电流 IBO：当电压升高达到迁移转变电压 VBO（对应的电流为迁移转变电流 IBO）时，半导体过压保护器完备导通，呈现很小的阻抗，两端电压VT立即低落到一个很低的数值（一样平常为5V旁边）。
l 峰值脉冲电流 IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。
l 坚持电流 IH：半导体过压保护器连续保持导通状态的最小电流。一旦流过它的电流小于坚持电流 IH，它就规复到截止状态。
l 静态电容 C：半导体过压保护器在静态时的电容值。
3. TSS特点
l 击穿（导通）前相称于开路，电阻很大，泄电流小，一样平常为几微安乃至零点几微安；
l 击穿（导通）后相称于短路，TSS管两端电压靠近0V，可通过很大的电流最大几百安培，VT压降很小；
l 具有双向对称特性。
l 相应速率都很快，ns 级。
l 击穿电压同等性好。
l 封装有SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,TO-92,DO-15,DO-27等，目前以SMA,SMB为主流。
二、上海雷卯TSS展示
三、雷卯方案推举
1. CAN接口静电浪涌保护方案
用于CAN接口的浪涌保护，采取低残压的TSS，有效保护接口,
IEC61000-4-5 浪涌10/700μs，8KV。
2. LED开路保护方案
PLED开路保护器件专用于LED灯珠串联电路,当某一个 LED 灯珠破坏或开路时并不影响其他 LED灯珠的正常事情；并同时具有防过压保护性能，使得 LED 能抵抗瞬时雷击。
具有导通电压低、反应迅速、故障打消后可自规复等
特点，大大提高了 LED 电路事情的稳定性。
运用解释
LED 灯珠正常事情时：
D1~Dn 位置的LED 灯珠正常事情时，电路事情电压为 3.3V~3.5V，PLED开路保护器件对电路没有影响。
LED 灯珠出问题时：
当电路中某一LED 灯珠处于开路状态时，PLE开路保护器件启动，充当旁路导线的浸染，PLED两端电压小于 1 V。其他 LED灯珠可以连续正常事情。当开路的 LED规复正常事情后，PLED开路保护器件自动规复到关断状态。
3. RS422 RS485静电浪涌保护方案
采取低残压的TSS，有效保护RS422 RS485芯片，TSS反应韶光为ns级，既可防浪涌，又可防静电. IEC61000-4-5 浪涌10/700μs，6KV。
4. SLIC 用户接口电路防护 LM61089B
LM61089B 是一种双正向传导缓冲门晶闸管（SCR）过压保护器。其设计用于保护单片 SLIC
（用户线路接口电路）防止雷电、互换电源触点和感应引起的电话线途经电压。这个
LM61089B 限定超过 SLIC 供电轨电压的电压。指定 LM61089B 参数以许可设备符合 Bellcore GR-1089-CORE 第 2 版和 ITU-T 建议 K.20、K.21 和 K.45。 LM61089B 参数如下。
海雷卯电子科技有限公司，成立于2011年，品牌Leiditech，是国家高新技能企业。公司研发团队由留美博士和TI原开拓经理组建，凭借技能博识的研发军队和履历丰富的电磁兼容行业专家，紧张供应防静电TVS/ESD以及干系EMC元器件（放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自规复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感）。
Leiditech环绕EMC电磁兼容做事客户，自建免费实验室为客户测试静电ESD（30KV）、群脉冲EFT(4KV)、浪涌（8/20，10/700 10/1000）、汽车抛负载（7637 5a/5b）和元器件的性能测试等。Leiditech紧跟国内外技能更新脉搏，不断创新EMC保护方案和干系器件，目标方向为小封装，大功率，为国产化替代供应可信赖方案和元器件。
TSS的简介
半导体放电管, 简称TSS。TSS 是根据可控硅事理采取离子注入技能生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速相应（相应韶光ns级）、浪涌接管能力较强、双向对称、可靠性高档特点。 由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管利用。 但它的导通特性靠近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中利用时必须加限流组件，使其续流小于最小坚持电流。 半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。
TSS的选型技巧：
1. TSS的Vdm应高于被保护电路的最大直流或连续事情电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。若选用的Vdm太低，器件可能进入雪崩或因反向泄电流太大影响电路的正常事情。串行连接分电压，并行连接分电流；
2. 迁移转变电压VBO必须小于被保护电路所许可的最大瞬间峰值电压；
3. TSS的IPP应大于电路瞬态浪涌电流；
4. 根据PCB布局或喜好选用TSS封装构造。
Information of TSS
Thyristor Surge Suppressors, referred as TSS, TSS is based on the principle of SCR using ion implantation and production of a new type of protective device, with precise turn-on, rapid response (response time NS grade), surge absorption ability, bi-directional, high reliability characteristics. Due to its surge capacity is stronger more than same size TVS , and can be used instead TVS tube in passive circuits.
They are small in size compared to their high surge current ratings. Operating voltages range from 20 Volts to 250 Volts with current ratings of 50 Amps to 200 Amps for a 10/1000µs waveform. Package configurations include axial lead, surface mount or cellular discs.
The selection tips of TSS:
1. Vdm of TSS should be higher than the Max of the protected circuit DC or standard rated voltage working voltage, circuit and "high-end" allowances. If the Vdm is too low, the devices may enter an avalanche or much reverse current circuit to work properly. The serial should be connected the component voltage ,and the parallel to partial current;
2. VBO of the TSS must be less than the permitted circuit maximum instantaneous peak voltage.
3. The IPP of TSS should be higher than the transient surge circuit;
Selecting the package according the PCB or preference.
