高精度，长期零偏稳定性小于5mg
低噪声，噪声密度小于20 μg/√Hz
温度适应性强，零偏温度系数0.15 mg/°C
接口丰富，数字输出支持CAN/RS232/RS422/RS485等，仿照输出支持电压和4-20ma
产品运用广泛、形状丰富，便于选型，
安装和调试
运用
惯性导航
稳定平台
建筑安全监测
倾斜丈量
机器人
地震监测与成像
事情事理
mems加速度计包含一个弹簧质量系统，这与许多其他的MEMS加速度计类似。质量相应外部加速度（静态加速度（如重力）或动态加速度（如速率变革））而移动，其物理位移通过传导机制进行检测。MEMS传感器采取的最常见的传导机制包括电容式、压阻式、压电式或磁性。其采取电容传导机制，通过电容变革来检测移动，而电容变革通过读取电路可转换为电压或电流输出。虽然硅芯片上的所有三轴传感器都采取了电容传导机制，但X/Y传感器和Z传感器采取了两种完备不同的电容检测架构。X/Y传感器均基于差分平面内叉指，而Z传感器是平面外平行板电容传感器，如图1所示。
图 1. Mems加速度传感器架构
如果传感器上存在压缩应力或拉应力，MEMS芯片会翘曲。由于检测质量块通过弹簧悬挂在衬底上方，以是不会和衬底一起翘曲，但质量块和衬底之间的间隙会发生变革。对付X/Y传感器，由于平面内位移对叉指电容变革的影响最大，以是间隙不在电容灵敏度这个方向，这是由边缘电场的补偿浸染导致的。但是，对付Z传感器，衬底和检测质量块之间的间隙实际上是检测间隙。以是，它会对Z传感器产生直接影响，由于它有效改变了Z传感器的检测间隙。此外，Z传感器位于芯片中心，只要芯片受到任何应力，该位置都会产生最大程度翘曲。
除了物理应力之外，由于在大多数运用中，z轴上的热通报都不对称，以是z轴传感器上常常存在温度梯度。在范例运用中，传感器焊接在印刷电路板(PCB)上，而且全体系统都在封装内。X和Y轴的热通报紧张通过封装周边的焊点来通报，并通报到对称的PCB上。但是，在z方向，由于芯片顶部存在焊点和对流，以是热通报通过底部传导，热量会通过空气通报到封装外。由于这种不匹配，z轴上会涌现残余的温差梯度。与物理压缩/拉应力一样，这会使z轴上涌现并非由加速度导致的偏移。
性能指标
