固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒差异比拟知识
根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC（四层存储单元）。固态硬盘依赖闪存芯片来存储数据，里面存放数据最小单位叫作“Cell”，SLC每个cell可以存放1bit数据，MLC每个cell可以存放2bit数据，TLC每个cell可以存放3bit数据，而QLC可以存放4bit数据。
为了小白更好的理解个中的意义，我来举个例子，我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张，cell相称于纸张上的一个个的格子，数据看做是一个黄豆。也便是说，SLC方案每个格子中只能放入一颗黄豆，以是存储空间较小，MLC方案每个格子可以放入两颗黄豆，TCL方案每个格子可以放入三颗黄豆，而QLC方案每个格子可以存放四个黄豆，本钱不变的情形下，存储空间较大。要知道这个纸张（芯片晶圆）价格也十分昂贵的，也便是说同样的晶圆如果做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的话变成512G，而做成QLC我们可以做成更大容量，而本钱是相同的。
QLC颗粒
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒差异比拟
SLC（单层存储单元）
全称是Single-Level Cell，单层电子构造，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，写入数据的时候电压变革区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于本钱最高，以是SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
MLC（双层存储单元）
全称是Multi-Level Cell，利用高低电压的而不同构建的双层电子构造，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次旁边，成本相对较高，但是对付消费级来说也可以接管，多用于家用级高端产品中。
TLC（三层存储单元）
全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，以是容量理论上是MLC的1.5倍，本钱较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市情上主流的闪存颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时本钱上比较TLC更低，上风便是可以将容量做的更大，本钱上更低，劣势便是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒比拟
QLC颗粒为什么不好？
每一个Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但是同时会导致不同电压状态越多，并且越难掌握，以是采取QLC颗粒的固态，虽然容量更大价格更便宜，但是稳定性较差，并且P/E寿命较低，速率最慢。
总结：
QLC NAND最大的上风便是在于本钱更低，相同的本钱下能够做出更大容量的SSD，容量将不再受到限定，1TB容量对付QLC颗粒来说，都是小意思，几十到上百TB才是主流，大容量固态硬盘时期开始了。但是对付P/E寿命和速率来说，这是QLC颗粒最大劣势之处，P/E寿命的公式是擦写次数容量/每天擦写量/365，但是QLC颗粒的固态硬盘容量都很大，假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，每天擦写100G，也便是它的寿命=1024100/100/365，约2.8年，还有这个最大写入次数也是理论上的，超出不一定就100%坏了，关键电脑不可能每天打开，也有安歇的时候，加之每天不可能都擦写100G，以是它的寿命也是不用太担心的，等待固态硬盘坏了，整台电脑也淘汰了。
QLC颗粒相信不少用户会说是技能倒退，但是对付厂商来说，目前用户对存储容量需求随之提高，目前TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价格偏贵，更低本钱更大容量才是未来趋势，相信QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时期。
