在设计完成芯片之后，晶圆加工厂在一块大晶圆上进行芯片加工。
1、湿洗
2、光刻
3、 离子注入
4.1、干蚀刻
4.2、湿蚀刻
5、等离子冲洗
6、热处理，个中又分为：
6.1 快速热退火 (便是瞬间把全体电影通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后逐步地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)
6.2 退火
6.3 热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )
7、化学气相淀积(CVD)，进一步风雅处理表面的各种物质
8、物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating
9、分子束外延 (MBE) 如果须要长单晶的话就须要。
10、电镀处理
11、化学/机器表面处理
12、晶圆测试
13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
这些工艺中紧张利用到的设备有扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、化学机器抛光机和洗濯机。
个中光刻非常主要，光刻是在晶圆上印制芯片电路图形的工艺，是集成电路制造的最关键步骤，在全体芯片的制造过程中约霸占了整系统编制造本钱的35%。
光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个主要缘故原由，如果没有光刻技能的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时期。
蚀刻便是是利用化学感光材料的光敏特性 ， 在基体金属基片两面均匀涂敷感光材料 ； 采取光刻方 法 ， 将胶膜板上栅网产品形状精确地复制到金属基片两面的感光层(掩膜 )上 ； 通过显影去除未感光部分的掩膜 ， 将袒露的金属部分在后续的加工中与堕落液直接喷压打仗而被蚀除，终极获取所需的几何形状及高精度尺寸的产品 。
大略来说，光刻便是把集成电路在晶圆上印出来，而蚀刻便是把印好的集成电路雕出来。这两者在芯片制造中都具有不可替代的浸染。
刻蚀工艺包括5个步骤：
1、刻蚀过程开始与等离子体刻蚀反应物的产生；
2、反应物通过扩散的办法穿过滞留气体层到达表面；
3、反应物被表面接管；
4、通过化学反应产生挥发性化合物；
5、化合物离开表面回到等离子体气流中，接着被抽气泵抽出
刻蚀工艺分为湿法堕落和干法刻蚀，在大规模集成电路制造中，湿法堕落正被干法刻蚀所替代，这是由于湿法堕落技能具有以下的缺陷，以是一样平常用在低端产品上：
（1）湿法堕落是各向同性，干法可以是各向异性
（2）干法堕落能达到高的分辨率，湿法堕落较差
（3）湿法堕落需大量的堕落性化学试剂，对人体和环境有害
（4）湿法堕落需大量的化学试剂去冲洗堕落剂剩余物，不经济
干法刻蚀一样平常是能量束刻蚀，离子束、电子束、激光束等等，精度高，无污染残留，现在芯片制造用的便是等离子刻蚀。
在集成电路制造过程中须要多种类型的干法刻蚀工艺，运用涉及硅片上各种材料。按材料来分，刻蚀紧张分成三种:金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀，它们彼此的运用并不相同，不能相互替代。以是蚀刻机也分为三大类，分别是介质刻蚀机（CCP 电容耦合）、硅刻蚀机（ICP 电感耦合）、金属刻蚀机（ ECR 电子回旋加速振荡）。
整体看硅刻蚀最难，其次介质刻蚀，最大略的是金属刻蚀。研发刻蚀机最难的便是如何让电场能量和刻蚀气体都均匀地分布在被刻蚀基体表面上，以担保等离子中的有效基元，在晶片表面的每一个位置实现相同的刻蚀效果，为此须要综合股料学、流体力学、电磁学和真空等离子体学的知识。
中国目前刻蚀机研发中，处于天下领先水准，个中中微半导体的已经造成5nm介质刻蚀机，供货给台积电，值得一提的是，中微半导体也是唯一进入台积电7nm制程蚀刻设备的大陆本土设备商。据悉，中微半导体与台积电在28nm制程时便已开始互助，并一贯延续到10nm和7nm制程。中微尹志尧博士的团队在气体喷淋盘上耗费了很大精力去研讨。其余包括功率电源、真空系统、刻蚀温度掌握等，这些都影响刻蚀结果。
北方华创在硅刻蚀、金属刻蚀上达到了天下主流水平，目前在占领7nm刻蚀设备。
也希望其他的厂商也可以不断努力，在芯片制造设备上赶超天下。
