科学家表示他们研发出氮化铝钪这种物质,这种物质拥有极强的稳定性,纵然在高温下也能保持构造的稳定,从而让设备无惧高温,首先科学家将45nm厚的氮化铝钪作为绝缘层,并且将金属镍和金属铂结合在一起,通过绝缘层实现在超高温下的运行。其余为了应对超高温对付电子元器件的负面影响,研究团队重新设计了存储设备的内部构造,将主控芯片与闪存集成在一起,这样可以大幅减少数据传输的韶光,从而提升运行的速率。团队表示这种设计将打破材料的限定,同时也将改变全体行业芯片设计的思路,未来这种高度集成的设计将会是特种存储设备的优选。
研究团队认为这种设计能够在未来在AI系统培植中发挥主要浸染,可以提升AI超算的运行稳定性,同时电路整合设计也可以极大程度地提升打算的速率,并降落延迟。当然AI打算看起来和600度的高温扯不上关系,并且大家都知道从实验室到正式商用还有很长的一段间隔要走,估计商用也是面向科研以及大型企业机构。其余在未来的星际旅行中能够拥有这种抗高温与严苛环境的存储设备,估计也算是刚需。
