为电源设计带来改造茂睿芯两款新型隔离驱动芯片详解_驱动器_栅极

我们都知道开关电源内部是初次级隔离的，输出电压通过光耦来反馈。
对付大功率开关电源来说，为了降落低级的损耗，会把掌握器放在次级，由赞助电源进行供电。
这样一来，就须要一颗隔离驱动器，将掌握器输出的驱动旗子暗记隔离放大，用来驱动低级MOS管。

常日我们所熟知的隔离器件是光耦，光耦确实可以起到隔离通信的浸染，但是光耦内部没有驱动器，须要外置的独立驱动器，利用起来比较麻烦。
针对这一痛点，茂睿芯推出了一系列高可靠性隔离栅极驱动器芯片，可助力厂商实现高效且精简的隔离驱动电路设计。

充电头网总结了茂睿芯推出的两款隔离驱动芯片，并将其封装特点以及详细型号汇成下表所示。

茂睿芯MD18011X

MD18011X系列是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力，输入引脚耐压-16V，紧张用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
其采取了自主开拓的磁隔离技能，绝缘耐压等级高达5700VRMS，能有效提高设备可靠性及利用寿命，应对强电对旗子暗记的滋扰时也能有效防止对旗子暗记链的滋扰，从而让系统稳定运行。

比较于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011X具有事情寿命更长，CMTI≥200kV/us以上，耐负压能力更高，UVLO规复更快，脉冲宽度失落真更小等优点。

MD18011X系列采取SOW-6封装，并具有8mm的电气间隙和爬电间隔，可广泛运用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统之中。

MD18023X系列作为一款双通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力来驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。
该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器和一个半桥驱动器。
输入端通过5.7kVRMS的隔离障壁与输出端隔离，具有最小200-V/ns的共模瞬变抗扰度。

输入侧所有端口均可耐受-10V至30V的直流电压，从而增加了对长传输路径上寄生电感引起的振铃的稳健性。
保护功能包括可编程的去世区设置（DT PIN）、DIS功能以关闭两通道输出和所有供电的欠压锁定（UVLO）。

MD18023系列通过了多项安全干系认证，供应SOP-16、SOP-16宽体两种封装，可运用于隔离式互换-直流和直流-直流电源、做事器、工业根本举动步伐、混动车和电动车充电器等领域之中。

茂睿芯MD18011X和MD18023X芯片均是隔离型栅极驱动器，适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。
MD18011X特点包括4A拉电流和7A灌电流能力，输入侧-16V耐压，5700VRMS磁隔离技能，长事情寿命，高CMTI值（≥200kV/us），更强的耐负压能力，快速UVLO规复，和较小脉冲宽度失落真。
采取SOW-6封装，具备8mm以上电气间隙和爬电间隔，适于工业电源、光伏逆变器等运用。

MD18023X供应4A拉电流和7A灌电流能力，可配置为两个低侧或高侧驱动器，或一个半桥驱动器，具有5.7kVRMS隔离壁，最小200-V/ns共模瞬变抗扰度。
输入范围-10V至30V直流电压，增强对振铃的稳健性，并有可编程的去世区设置、禁用功能和UVLO保护。
通过安全认证，供应SOP-16和SOW-16封装，适宜隔离式AC-DC和DC-DC电源、做事器等运用。

两款芯片上风在于高效驱动能力、强大的隔离性能、稳健的输入电压处理、多样的配置选项以及广泛的运用范围，特殊适宜哀求高可靠性和安全性的关键领域。