我们先来理解一下去耦和旁路的差异。旁路电容，叫 bypass，是把输入旗子暗记中的高频身分作为滤除工具。
去耦电容，叫 decoupling，也称退耦电容，是把输出旗子暗记的滋扰作为滤除工具。可以看到，旁路电容和去耦电容的浸染都是滤波，只是在电路上的位置不同而已。
旁路电容和去耦电容差异
旁路一样平常位于旗子暗记输入端，去耦一样平常位于旗子暗记输出端。旁路电容滤除的是前级电源的滋扰，一样平常是高频噪声，在输入电源管脚上加小容值电容，比如常见的 0.1uF。
去耦电容是滤除的是输出级的滋扰，由于输出级是作为了下一级的输入。去耦电容的第一个浸染和旁路是一样的，高频滤波。第二是充当储能电容，在负载所需电流溘然增大时供应电能，知足驱动电路的电流变革，电容越大，储能越多，在一定范围内，知足负载电流变革更有效。说完了去耦和旁路，来到正题，电容的去耦半径。先记一下理论：小容值电容去耦路径短，超过去耦路径，就失落去了去耦效果，以是一样平常靠近 IC摆放。大容值电容去耦路径长，摆放位置相对宽松一些。以是电源，一样平常是先经由大电容，再经由小电容，再进入到 IC 芯片。
我画了一个简图，来帮助理解大小电容的摆放位置，你会创造，A 和 C 处的两个电容都是小电容靠近 IC，但是 B 处是大电容靠近 IC，这是为什么呢？
电容摆放示意图首先，A 和 C 处两个电容都是旁路电容，B 处的两个电容是去耦电容（滤波加储能浸染）。其次，芯片 A 是电源芯片，它的输出相对付 B 处的 1uF 电容来说，便是输入，以是先经由 1uF，再经由 0.1uF，也是没有问题的。
末了，B 处两个电容也作为储能电容，回路每每伴随较大的纹波电流，且会在电容的 ESR 上产生大量的热，同时形成纹波电压。以是靠近电源芯片的电容会流过更大的纹波电流，如果把小电容靠近电源芯片输出，随意马虎出问题。以是对电源芯片总结便是：输入电源先大后小（小的靠近电源 IC），输出电源也是先大后小（大的靠近电源 IC）。
