随着当代电子装置对小型化、轻量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低本钱化方面的哀求不断提高，IC芯片的特色尺寸不断缩小，且集成规模迅速扩大，芯片封装技能也在不断改造，凸点加工工艺（Bump process flow）也因此发展起来。
Bump process 分为三种：BOPCOA、BOAC、 HOTROD，其封装的优缺陷如下表所示。
对付芯片尺寸哀求没那么严格的情形，大多数产品都是采取QFN封装形式的芯片，因其可测性和散热较好；而对付耳机、手机等小型化产品的芯片，大多采取WSCP（wafer scale chip package）封装。同一种功能的芯片而言可以加工身分歧的封装形式，仅在Bump和Assembly层面有所差异，可以理解为QFN封装在完成Bump制程后还须要打线（Wire Bonding）或者引线框架（leadframe）将引脚引出，末了塑封成型，而WCSP则在Bump完成Ball attach之后便是一颗完全可以交付到客户手上的芯片了，这可以减少很多的设计开拓本钱。
为了更好的理解bump制程工艺，接下来大略先容一下WCSP的工艺流程。
Bump的制程在fab之后，fab是将电路部分加工完成，一样平常有三层metal，最上层留有via top，便于bump进行下一步的加工。一样平常从fab过来的wafer都会有一道宏不雅观检测，去检测是否从fab过来就有defect，类似刮伤、污染、破片之类的问题。然后再做打消和烘烤去除wafer上的疏松颗粒和有机污染物以及wafer上的水分。
完成了前序动作，才真正开始bump制程，首先在incoming的wafer上溅镀上一层薄薄的金属层，一样平常是3um-Tiw和2um-Cu，为fab的电路供应保护层并为fab和bump之间创建金属互连层。
溅镀完一层金属薄膜之后整片wafer都是导电的，不能直接进行电镀，须要先铺光阻做图案，只露出须要电镀的区域并将不须要电镀的地方保护起来，这个过程称为photo制程。Photo制程分为铺光阻、曝光、显影，先将整片wafer铺上光阻（光阻分为正性光阻和负性光阻，其差异在于被光照过的地方是易溶解还是不易溶解），然后利用带有所需图形的光照板进行曝光后得到所需的图形，曝光所用的机台便是我们常听到的光刻机，不同机台的功能一样，只是事理有所不同，光刻机的精度直接影响芯片的尺寸大小以及一定尺寸下芯片电路的繁芜程度。光阻经由曝光，会使得有些地方易于被显影液溶解，有些地方则不易被溶解，因此经由显影之后须要电镀的地方就会被袒露出来。
光阻铺完接下来则是电镀，常用的电镀方法有挂镀法和垂直镀法，目前采取的大多是垂直镀法，电镀的事理大略来说便是铜离子失落去电子得到铜并在电场的浸染下沉积在wafer表面，根据给定的电流密度和电镀韶光掌握电镀铜的高度。BOAC是电镀CU+Ni+Pb，也只电镀一层金属，而HOTROD和BOPCOA这一层metal为重分布层（COA/RDL），还需重复一次sputter+photo+plating制程，其余常日在两层金属之间会加一层polyimide进行防护。常规HOTROD制程的SnAg是直接通过电镀完成然后进行reflow，而HOTROD-LITE和BOPCOA在电镀过程中只镀Cu，SnAg是通过ball attach+reflow完成的。
下图为BOPCOA制程进行Ball attach的详细过程：先在wafer表面涂上助焊剂，然后将锡银球通过stencil置于对应的UBM上，然后经由reflow完成solder的植球过程。下图给出为实际的bump构造的SEM-cut图。
该内容是小编转载自网络，仅供学习互换利用，如有侵权，请联系删除。如果你还想理解更多关于电子元器件的干系知识及电子元器件行业实时市场信息，敬请关注微信公众号 【上海衡丽贸易有限公司】
