北京大年夜学取得一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法专利该专利技能具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点_压敏电阻_应变

专利择要显示，本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机器系统传感器设计领域，该传感器紧张包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一壁含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛构造；每个半岛构造的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂打仗区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂打仗区串接，两端由金属引线从重掺杂打仗区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。
其与范例构造的压力传感器比较，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。

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