在射频电路设计中，射频放大器是常见的射频组件。射频放大器根据不同类型，有着不同的分类，本日我们紧张来说说低噪声放大器（LNA）。
在射频电路设计中，存在许多情形是须要增加旗子暗记的功率同时避免添加任何旗子暗记退化。例如，当混频器须要以超出基带收发器组件可用的特定输入功率来驱动时，或者是增加天线吸收的相对较弱的旗子暗记的旗子暗记强度。在这些情形下，低噪声放大器（LNA）是用于供应边际旗子暗记的旗子暗记增益的旗子暗记调节设备，同时对旗子暗记的本底噪声或失落真降到最低。还有高增益LNA，其被专门设计用于大幅增加单个设备中旗子暗记的增益。
低相位噪声放大器，NF 6.5 dB，Psat 16 dBm， 2 GHz ~ 18 GHz，增益 12.5 dB ，SMA
LNA与其他类型的放大器类似，关键差异在于这些器件针对非常低的附加噪声系数进行了优化，并常日还具有良好的线性。在设备和旗子暗记中，很多组成部件会产生整体噪声。放大低功率旗子暗记所面临的问题是旗子暗记中的所有噪声和滋扰也被放大。因此，在旗子暗记中传输过程中，放大器会产生额外的噪声常日是有问题的。以类似的办法，使放大器对低功率输入旗子暗记产生非线性失落真也可能对旗子暗记质量产生浮夸的不良影响。
LNA紧张电气规格和特点：
频率范围[Hz]互连阻抗[欧姆]小旗子暗记增益[dB]噪声系数[dB]增益平坦度[dB]基板事情温度（OTR）下的增益变革[dB]输入和输出VSWR1 dB压缩点输出功率[dBm]输出三阶截距点[dBm]饱和输出功率[dBm]杂散[dBc]射频功率处理（最大射频输入功率）[dBm]反向隔离[dB]事情直流电压[V]事情直流电流[A]事情温度范围[摄氏度]互连类型[波导管、同轴连接器、SMT等]大多数同轴连接放大器设计的噪声系数（NF）或附加噪声系数相对较低，为0.5dB至1.5dB，增益系数在10dB至20dB之间。高增益LNA常日是多级放大器器件，并可以包含范例的低噪声放大器级，然后是具有比原始LNA稍差的噪声系数的较高增益放大器。这种组合是可行的，由于第二增益级对本底噪声的贡献将小于第一增益级。
输入保护型低噪声放大器，1 GHz ~ 23 GHz，NF 3.5 dB，增益 29 dB，Psat 23 dBm，SMA
LNA还有许多其他变体，例如GaN输入保护低噪声放大器和低相位噪声放大器（LPNA），它们分别具有高输入功率电平操作/生存性和低相位噪音。
