1、输出电压设置
（上式中，分子该当为RH）。通过两个电阻对输出电压进行分压，连接到电压反馈管脚，实现反馈电压，终极这个电压旗子暗记在芯片内部作为掌握占空比的依据。
2、通过EN管脚掌握启动
利用以下等式设置输入启动电压和输入电压的外部滞后。
这里， iHYS=10uA,VEN =1.2V 这两个参数是由电源掌握器芯片内部决定的。
3、设置开关频率
对付给定的开关频率fSW，RT电阻可通过以下等式打算。
振荡器频率程序输入。将一个电阻器从该引脚连接到AGND，对内部振荡器频率进行编程。
4、电流检测和过流保护
利用MOSFET RDS(ON)进行电流检测，可以实现大略且经济高效的电流检测。它利用恒定导通韶光谷值模式电流检测架构。上管导通固定的韶光，此后底部开关导通，其RDS压降用于检测电流最小值或电流下限。
或者干脆串一个电阻专门检测这个电流。
电流检测还有其他方法，此处就不一一展开，硬十已经有其他文章讲解。可以在公众年夜众号，搜索“电源合集”
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5、MOSFET驱动
高压侧驱动器设计用于驱动大电流、低RDS（ON）N-MOSFET。当配置为浮动驱动器时，VCC电源供应7.5V（或10V）的偏置电压。在VGS=7.5V（或10V）乘以开关频率时，均匀驱动电流也即是栅极电荷。瞬时驱动电流由BST和SW引脚之间的自举电容器供应。驱动能力由其内阻表示，BST到UGATE的内阻为1.5Ω，UGATE到SW的内阻为0.9Ω。
低压侧驱动器设计用于驱动大电流、低RDS（ON）N-MOSFET。驱动能力由其内阻决定，VCC到LGATE的内阻为1.5Ω，LGATE到GND的内阻为0.9Ω。VCC电源供应7.5V（或10V）的偏置电压。瞬时驱动电流由连接在VCC和GND之间的输入电容器供应。均匀驱动电流即是VGS=7.5V（或10V）乘以开关频率时的栅极电荷。该栅极驱动电流以及高侧栅极驱动电流乘以7.5V（或10V）产生须要从器件封装中耗散的驱动功率。
这里提到的1.5Ω和0.9欧姆都是器件内部的电阻。由于MOSFET打开的过程中须要对MOSFET的寄生电容充电，以是这个瞬间电流比较大，有时会导致VCC或者BST电压跌落，导致内部逻辑错乱，驱动逻辑缺点导致丢失驱动脉冲，从而导致输出非常。以是有时我们会串一个电阻，用于调试。但是这个电阻会由于RC充放电延时，影响MOSFET掌握时序。我们电阻选型阻值也不能太大。
6、PowerGood上拉电阻
（PG）输出是一个电源准备就绪的一个指示，一样平常是OD旗子暗记，须要上拉。PG引脚是MOSFET的开放漏极。通过电阻器（10kΩ至100kΩ）连接到电压源（如Vout）。当FB电压超过内部参考电压VREF的94%时，内部比较器检测到电源良好状态，电源良好旗子暗记变高，延迟韶光可以为36us。如果反馈电压低于目标值的92%，则功率良好旗子暗记变低。
7、环路补偿网络设计
在环路补偿网络设计中，会利用电阻形成运放的周边，实现多少个极点和零点，从而改变反馈环路的波特图特性。
干系波特图的测试和讲解，可以登录《硬十教室》搜索“环路”
