速度高达1Gbps！三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片_前代_此前

这样的数据也要高于三星此前最快的基于48层三位256GGB V-NAND闪存的速率快了约1.5倍。

此外，与三星电子此前的48层256Gb V-NAND比较，新的64层256Gb 3-bit V-NAND供应了超过30%的生产率增益。
而64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与利用48层V-NAND的3.3伏比较，在能量效率方面也有约30%旁边的提升，而全新的V-NAND电池的可靠性与前代比较也增加了约20%。

三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
虽然秀了半天肌肉，小狮子还是更关心这固体硬盘的价格什么时候才能降到我们喜闻乐见的价格啊。