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LDO作为非空想元件,自身也会产生噪声,其噪声来源包括其内部基准电压、反馈放大器、内部晶体管与外部分压电阻。
如何降落噪声?对付内部运放和内部晶体管,其噪声水平由其设计决定,我们无法改变,但我们可以对其外部分压电阻和内部基准电压(部分LDO)做出一些补偿。
① 基准电容CNR
部分LDO具有一个基准电压滤波引脚,例如TI的TPS71701的NR引脚,其引脚描述如下:降噪电容过滤内部带隙产生的噪声,从而降落输出噪声。
下图是CNR电容值与输出噪声的关系,可以看出CNR越大输出噪声越小,容值为0.1uF后也不能完备肃清噪声,以是也不能无限大。同时CNR过大会导致LDO的快速启动能力受限,以是其值须要根据需求在0.01uF~0.1uF之间选取。
CNR同时还能提高LDO的PSRR(电源之LDO-4. LDO的电源抑制比),如下图:
② 前馈电容CFF
那么如何通过对反馈电阻的处理降落输出噪声呢?以TPS7A91为例。
将CFF并联在上端反馈电阻两端,不同的CFF值会有不同的噪声抑制能力。下图可以看出CFF越大噪声抑制能力越强。
但须要把稳的是,CFF容值过大可能影响LDO的动态性能,乃至可能造成输出震荡,以是其容值需谨慎选取。
③ 输出电容Cout
不同容值的输出电容也会影响输出噪声,表现为Cout越大,输出噪声越小,但其噪声抑制能力受容值大小影响较小。
④ 负载
如下图所示:降落负载能减小输出噪声
总结:降落LDO输出噪声水平的方法,加入基准电容CNR、加入前馈电容CFF、增大输出电容Cout、降落负载电流等。
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