硅二极管GPP芯片电泳法玻璃钝化工艺_硅片_玻璃粉

一是良好的电气性能和可靠性。
包括电阻率、介电强度、离子迁移率等。
材料的引入不应给器件带来副浸染；

二是良好的化学稳定性。
半导体工艺是用化学试剂开展的工艺，作为器件的钝化材料，应有一定的抗化学堕落能力；

三是可操作性。
工艺要大略，重复性好，能与器件制造工艺相容，材料的膨胀系数要与硅材料相同等或靠近；

四是经济性。
可大批量生产，制造本钱要低，有市场竞争力，材料和工艺有强大的生命力和开拓潜力。

根据上述哀求，近年来市场上涌现的利用半导体钝化专用玻璃制作玻璃钝化硅二极管（GPP）芯片便是一种较为空想的半导体钝化材料。

目前，利用玻璃钝化硅二极管（GPP）芯片的呼声越来越高，并得到电子行业内人士的普遍认可。
这种GPP芯片工艺为半导体平面工艺、台面工艺和玻璃烧结工艺于一体，是在硅扩散片金属化之前（玻璃钝化工艺温度许可也可之后），利用光刻胶掩膜及刻蚀V型槽（或机器式划V型槽）的台面。
然后，在结表面涂敷玻璃粉以便进行台面钝化处理。
玻璃粉料是由某些粘合剂及高纯度的微细玻璃粉稠浊组成的悬浮液。
将玻璃粉悬浮液按一定的工艺方法涂敷于V型槽内，在高温下粘合剂被烧掉，玻璃熔化并在全体结的表面上形成密封保护层。

涂敷玻璃常用的紧张有三种方法：医用手术刀法、电泳法和光致抗蚀剂法。

这种方法机理是将玻璃粉和有机溶剂（甲醇或异丙醇）配制成悬浮液，井在悬浮液内加入适量的活性剂28%的氨水和醋酸纤维素。
活性剂的浸染是使玻璃粉粒子带负电，以增强颗粒运动，形成致密坚实的玻璃层。

醋酸纤维素作粘接剂，在直流电场浸染下，带负电的玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，并淀积在硅片上。
电泳法淀积需一固定的电子装置，硅片被固定在电极上（正电）。
电泳时，将直流电压加到100--200V/cm场强，直流电流在0.5ｍＡ之间，这时，可用注射器向电泳液内加入活性剂，直流电流随之升至１ｍＡ，并坚持到淀积结束。

电泳法淀积的特点是可以进行选择性钝化，而且硅片两面可以同时淀积，尤其适宜于可控硅器件的钝化膜制造。
但在电泳法中活性剂对淀积成功很关键，活性剂的加入会降落电泳液寿命，随着电泳液寿命的变革，活性剂加入量每次都不一样，工艺宽容度较小，加上其他各种缘故原由，使电泳法的批次重复性较差。

选择硅片→ 硅片洗濯→ 磷预淀积→ 单面喷砂（减薄）→ 硼扩散及磷再分布→ 双面喷砂去氧化层→ 氮气或氧气退火（须要时）→ 铂扩散及扩散后的表面堕落处理和洗濯（须要时）→V型槽台面堕落→ 成长二氧化硅膜或LPCVD淀积氮化硅膜（钝化保护）→ 玻璃钝化→ＨＦ漂洗（堕落）硅表面→ 双面镀镍（电极）→ 晶圆划片－→分片、洗濯、包装。

紧张干系生产工艺先容如下：

采取N型直拉单晶硅。
硅片电阻率：15-20、20-25Ω·cm，选择原始硅片厚度约270±10μm；电阻率25-30、30-35、35-40、40-45、45-50Ω·cm，应选择厚度约290±10μm。

注：以上电阻率所对应的击穿电压VR大约为：600-900、900-1100、1000-1200、1200-1400、1400-1600、1500-1600、1600-1700。

硅片表面洗濯是制造半导体器件的主要环节，用稠浊酸、洗濯剂和纯水在洗濯槽或超声波洗濯机内洗濯硅片，使其表面清洁并烘干。

洗濯过程：3号液堕落3-5分钟－→1号液煮沸2－3分钟－→2号液煮沸2－3分钟－→超纯水冲洗。

⑴ 1号液配比：氨水：H2O2：超纯水＝1：2：5；

⑵ 2号液配比：HCI：H2O2：超纯水＝1：2：8；

⑶ 3号液配比：硝酸：氢氟酸：冰醋酸=3：3：1。

末了用HF:H2O＝1：10漂10－20秒，撤除硅片表面自然氧化层，用超纯水冲洗、烘干备用。

3、磷预淀积扩散

磷源：P60纸质磷源。

在每两片硅片中间放一张磷源纸，将硅片排列整洁并压紧在石英舟中。
在清洁的石英管内，经由1220℃高温2小时旁边，使磷原子扩散到硅片内。
磷表面方块电阻<0.1Ω/□、Xjn≈20μm。
磷预沉积结束后，硅片会黏结成圆柱形。

⑴ 将此\"大众圆柱体\"大众浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片相互分离开；

⑵ 硅片经自来水洗濯后，喷砂去除未附磷纸那一壁的扩散层，同时减薄硅片去除约15μm；

⑶ 用稠浊酸、洗濯剂和纯水在洗濯槽或超声波洗濯机内洗濯硅片，去除硅片表面的毛病，金属杂质，可动离子和有机物，使其表面清洁并烘干。

硼源：a、B40纸质硼源；b、 无水乙醇∶硝酸铝∶三氧化二硼＝150：5：8。

⑴ 第一种硼源是在磷面背靠背的两片喷砂面中间放一张硼源纸，将硅片排列整洁并压紧在石英舟中；

第二种磷源是在喷砂面涂覆（喷涂法或旋敷涂法）一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的稠浊溶剂，烘烤后再次排放在石英舟中并压紧；

⑵ 在专用石英管中，经由1250℃高温21～35小时进行硼（或含铝）的扩散。
同时，进行磷的再分布扩散；

⑶ 扩散后检测扩散结深和掺杂浓度。
硼表面方块电阻<0.1Ω/□、Xjn≈60μm；结深：Xjp 45～90μm（扩硼）或60～110μm（扩硼铝）；

⑷ 基区宽度掌握在大约100μm旁边。

⑴ 再次将此硼扩散\"大众圆柱体\"大众浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片相互分离开。

⑵ 经自来水洗濯后，双面喷砂去除约10μm两面的磷、硼扩散形成的氧化层。

⑶ 用稠浊酸、洗濯剂和纯水在洗濯槽或超声波洗濯机内洗濯硅片，使其表面清洁并烘干。

⑴ 预烘。
所有硅片在甩胶前需在175℃烘箱内预烘60分钟；

⑵ 甩胶。
在转盘上放置硅片，在硅片表面上滴入适量SC450cp,按下真空开关开始甩胶。
第一步低速匀胶：转速800转、韶光10秒；第二步高速甩胶：转速1500～2000转、韶光10～15秒；

⑶ 前烘。
将甩胶好的电影装入载片盒放入85℃烘箱内预烘10分钟，再置入110℃胶膜前烘箱内烘30分钟；

⑷ 曝光。
光强度500毫焦/平方厘米、韶光30～45秒；

⑸ 显影。
将曝光好的电影装入载片盒放入显影缸中显影45秒，再置入定影缸中定影30秒。
把稳：显影时应来回晃动载片盒数次；

⑹ 坚膜。
显影后将硅片晾干，然后放入145℃的坚膜烘箱内坚膜30分钟。

8、堕落V型槽

⑴ 堕落V型槽。
堕落液配比，硝酸：氢氟酸：冰醋酸=3～6：3：1，堕落在冰水中进行，韶光20-25min（堕落韶光随槽深而确定），槽深80-120μm ，关键是掌握好堕落速率。
并使管芯形成只管即便大的（40°-75°）负斜角台面。

⑵ V型槽台面堕落。
堕落液配比，硝酸：氢氟酸：冰醋酸：硫酸=9：9：10-12：4。
温度20℃±2℃，韶光45s--90s。

⑶ 表面钝化：钝化液配比，过氧化氢：磷酸：去离子水=1：1：2-4；温度70℃±5℃，韶光40s--60s。

⑷ 去光刻胶 ：温度500--520℃，韶光15--20min，通气O2，6L/min或化学方法去除光刻胶。

氧化炉温800℃，通湿氧5分钟或720℃，通湿氧10--15分钟。
可成长1.5nm旁边的SiO2层。

注：在槽内师长西席长1～2nm厚的氧化层可能对硅表面阻断电压的形成有利。

⑴ 异丙醇（IPA)和乙基醋酸纤维素(EA)作为悬浮媒介，以体积比IPA:EA=50:50稠浊。

⑵ 每100cc悬浮液中加入2--4克玻璃粉，超声4--5分钟后静置4--5分钟后将其倒入石英或具有特氟隆涂层的不锈钢液槽内。

⑶ 按2.0--4.0cc/L的比例加入28%的氨水（或通氨鼓泡至浓度为0.03mol/L）。

⑷ 上述电解液添加好后超声稠浊4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳间隔是2厘米。

⑸ 悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子（如鳄鱼夹）加以100--200V/cm场强，2--4分钟。

⑹ 装置将电极和硅片带出的速率为5毫米/秒。

⑴ 将硅片置于110±2℃烤盘上烘烤2 min，置于旋转真空吸盘在转速800～1000rpm下用橡胶圆块轻轻擦去硅片表面残留的玻璃粉（也可拿个小刷子轻轻扫涂有玻璃粉的硅片表面，担保涂层均匀再入炉），然后以一定间隔直立插放在石英舟上准备进炉。

⑵ 玻璃预烧。
玻璃粉涂敷之后，将晶片放在200°C下，以使溶液蒸发烘干。
然后将硅片放入500℃焙烧炉中通入氧气焙烧15分钟，以烧去有机溶剂（或光刻胶膜）。
烧完后只留下沟槽中的白色粉末玻璃。
以5–8℃/min(或推拉速率为50mm/min)升温至转化温度（如GP-200玻璃粉的转化温度560℃）保温20～30分钟，炉口预热及冷却各5--10min。

⑶ 擦拭预烧后硅片。
将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，把稳沟槽内玻璃浆不要擦掉。
沿对角线方向轻擦去硅片表面残留的玻璃粉（此步骤根据效果取舍）。

⑷ 玻璃烧成。
进出办法同玻璃预烧，在一定比例的氧气+氮氛围围中烧成。
各种玻璃粉的熔凝范例温度一样平常在720-860℃之间，与玻璃身分有关（如GP-200玻璃粉的熔化温度820℃）。
温度曲线按附件1玻璃粉产品解释书履行。
严格掌握玻璃烧结熔凝温度和氧气中的含氮宇量是制备优质玻璃钝化层的关键。

用HF:H2O＝1：3～5漂20－40秒，撤除硅片表面残留玻璃层及氧化物，用超纯水冲洗、烘干备用。

把稳：严格掌握堕落速率、韶光及堕落厚度。

镀镍液配方：氯化镍30克/升、次亚磷酸钠10克/升、氯化铵50克/升、柠檬酸氢二铵65克/升。
镀镍液加热至沸腾，加入氨水25ml调节pH值至9旁边，将硅片放入镀镍液中，韶光5-7分钟。
一次镀镍、洗濯烘干后进行680--750℃在含氮气或氮氢稠浊气体中烧渗，韶光30—40分钟，让镍、硅形成微合金层。
烧渗后镍层表面发黄需用硝酸堕落，再用氢氟酸漂洗，硅片洗濯干净后再镀上一层可焊性良好的新的化学镀镍层。

注：快规复二极管须要在化学镀镍前扩铂

⑴ 铂源：a、美国Filmtronics公司Pt920液态源；b、无水乙醇∶三氯化铂=100：0.5-2.5；

⑵ 在扩散片磷面旋转涂敷铂源，烘干后铂面背靠背排放在石英舟中并压紧；

⑶ 推入专用石英管道中。
炉温860℃-980℃；韶光：45-60分钟。
对应的规复韶光Trr：200-35ns。

须要指出的是，扩铂片应按不同硅片电阻率、正向压降VF和规复韶光Trr适当确定原始硅片的厚度。
一样平常为：

1）电阻率10-15Ω·cm、正向压降VF小于1V、规复韶光Trr小于50ns的原始硅片厚度选220±10μm；

2）15-30Ω·cm、正向压降VF小于1.2V、规复韶光Trr小于150ns的原始硅片厚度为250±10?m；

3）30-45Ω·cm、正向压降VF小于1.3V、规复韶光Trr小于200ns的原始硅片厚度为280±10?m。

采取高速砂轮划片机或激光划片机。

⑴ 高速砂轮划片机工艺：气压：6.5—7.2kg/cm2；冷缺水压：1.5—2.0kg/cm2；转速500-700r/s；进刀速率4-10mm/s；余高5μm；刃宽25--50μm；

⑵ 激光划片机工艺：划片速率30到40mm/s；

⑶ 划片深度颠簸掌握在20um之内。

将蓝膜用纯水粘在不锈钢板上冷冻（-18℃ 、30min）进行裂片，去除硅片边缘的不良品；取出后剥下蓝膜，用水突入不锈钢筛网内，开水烫后在丙酮里浸泡20分钟后，异丙醇超声三到四次，脱水烘干（如有光刻胶残留须在白炽灯下30—50℃烘干）及包装。

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