这里实在有两个问题：
1.单片机为什么不直接驱动负载？
2.单片机为什么一样平常选用三极管而不是MOS管？
图1
答：
1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一样平常在10-20mA以内。以是一样平常不采取单片机直接驱动负载这种办法。
2.至于单片机为什么一样平常选用三极管而不是MOS管？须要理解三极管和MOS管的差异，如下：
①三极管是电流掌握型，三极管基极驱动电压只要高于Ube（一样平常是0.7V）就能导通。
②MOS管是电压掌握型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）才能正常导通，不同MOS管的阈值电压是不一样的，一样平常为3-5V旁边，饱和驱动电压可在6-8V。
我们再来看实际运用：
处理器一样平常讲究低功耗，供电电压也越来越低，一样平常单片机供电为3.3V，以是它的I/O最高电压也便是3.3V。
①直接驱动三极管
3.3V电压肯定是大于Ube的，以是直接在基极串联一个得当的电阻，让三极监工作在饱和区就可以了。Ib=（VO-0.7V）/R2。
图2 驱动三极管示意图
②驱动MOS管
通过前面也理解到，MOS管的饱和电压>3.3V，如果用3.3V来驱动的话，很可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通状态。
在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就弗成了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很随意马虎就烧坏了。
以是，一样平常选择I/O口直接掌握三极管，然后再掌握MOS管。
图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管
当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不事情。
当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极供应得当的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常事情。
为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？
那是由于三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有哀求时，必须要用MOS管来驱动。
图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管
当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不事情。
当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极供应得当的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常事情。
为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？
那是由于三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有哀求时，必须要用MOS管来驱动。
