看过我以前帖子的，该当知道，我10年入行，助工开始，12年换了事情，做研发，15年初由研发转为FAE，这一做就步入了第7个年头了。
想深入浅出的讲解下开关电源，想让刚入行的人，也有大致的理解，以是前期可能会说的都很大略。
打算方案更新流程为：
1、反激的事情事理。
2、方案的选型与变压器设计。
3、EMI的整改。
1、反激的事情事理。
1-1、原边反馈的反激事情事理。
IC方案的升级，一样平常以更低的本钱，更优化性能为条件，以是现在IC的外围是越来越大略了，以前我们做36W以上都是须要光耦817和431做反馈。原边反馈一样平常只做36W以内，随着IC方案的更新升级，现在也有做80W以内的原边，事情模式由纯挚的DCM模式，拓展到CCM模式，至于DCM和CCM的差异，后面讲解。目前我在做启臣微的代理，以是以启臣微的方案为例子。
事理图：
1-1-1、电源上电，通过R5R6给C2充电，达到IC事情电压，GATE驱动脚输出驱动脉冲波形，Q1 MOS管导通，电流流向如下：
形成环路给变压器电感充电。因变压器的同名端反向，此时次级是不导通的，能量全部储存再变压器里，VCC绕组分压后接4脚（FB脚)，做反馈。这里就要说说IC的内部事理构造
实际原边的反馈事理和副边的反馈事理是一个道理，FB脚电压波形和IC的内部基准做比较，输出一个可变的直流电压，再和内部的三角波比较，来决定改变占空比（PWM)或者频率（PFM），达到平稳输出电压的浸染。
说个题外话，一样平常我们都会给客户发IC的规格书，规格书你们会仔细看下吗，是否理解里面的参数所表达的意义。如果有想理解的，我后面可以阐明下。
1-1-2、由于反馈的缘故原由，IC驱动关断,MOS管也关断。次级二极管导通，变压器通过二极管给输出负载供电并给输出电容CE3充电。
1-1-3、然后回到1-1-1步骤。MOS管导通，输出二极管D11截止，又给变压器充电，此时由于二极管截止了，输出通过输出电解电容放电来担保输出的持续性，以是实际次级供电只事情了一个周期的一小部分（实际多大，紧张看电源占空比），另一部分的周期由电解放电，所以为什么会有纹波电压的缘故原由就在这里，以是须要加大电解容量来降落纹波。就不要问我为什么变压器和二极管能产生导通和截止，这个你们要把高中的知识扔回给老师吗，高中老师可要哭了。
事情事理说完了，下面我们说说参数设计和变压器设计，也是按这个事理图来选型吧。上面事理图的参数根据输出功率来改变，CR6234这个IC我调过，MOS管驱动能力不足，如果是驱动平面MOS，最大只能驱动7A65的MOS，这个就限定了电源的功率。正常7A的MOS加散热片的话，功率在36W旁边（不用除有些用来做60W，实际看扇激情亲切况）。如果是驱动COOLMOS，最大可以驱动550MR旁边，也便是12A旁边的COOLMOS，这样，功率就大很多了，可以做60W旁边，那为什么只能驱动7A的平面MOS却能驱动12A的COOLMOS？由于COOLMOS须要的驱动能力会小点。
顺便说个小知识，COOLMOS的命名规则，耐压+内阻，基本每家的COOLMOS的都遵照了这个命名。比如说安海的COOLMOS,ASA65R550E 实际便是650V 550MR的内阻，ASA65R350E ：650V350MR的内阻，ASA80R290E:800V290MR的内阻，最近刚好有个单管正激 48V200W的项目上用到（磁吸电源）
看到内阻就大约是知道是多少A的MOS了，这平常须要看一些规格书的时候，要让自己记下来，比如 2A650V的内阻大约在4R旁边，4A650V的内阻在2R旁边，7A650V的MOS，内阻再1.2R旁边。这些参数对付研发来说都是须要影象的，由于晶元越小，内阻就越大，以是你知道为什么同样是4A/7A的MOS，但是价格还是有差吧，你可能认为是品牌决定，实在品牌只是占一小部分，这个差价大多来源于MOS的晶元和框架。为什么有些牌子的4A的MOS会价格低点，你剪开MOS就知道价格差在哪了。当你记得这些内阻参数，谁想忽悠你都比较难
有点扯远了，回到驱动能力的问题，以前老IC的驱动能力会在规格书里标注，现在的IC规格书已经逐步不标注这个参数了，但是我们可以从驱动波形来看驱动能力，之前推广启达的IC时，刚好测试了CR6234的驱动波形，以是留有波形
可以看到驱动10N65的平面MOS时，驱动的上升沿明显拉长了，而且驱动波形已经畸变的很严重了，这个导致MOS开关损耗很大，效率低,MOS管发热严重。平常我们整改辐射时，比较难整30M-80M位置时，改大驱动电阻是有效果，但是还是须要把稳下驱动波形，如果改的太大，驱动的上升沿太长，辐射是过了，但是MOS管发热严重，导致电源事情不稳定，并有可能有炸机的风险，那就得不偿失落了。一样平常上升沿 1-1.2US为宜，如果还整不过，就建议改其他位置了，毕竟，改变压器绕法不喷鼻香吗。
