手机存储大年夜提速！东芝宣告全新闪存芯片_东芝_速度

三星新近推出的Galaxy S6以及S6 Edge均采取了基于UFS 2.0技能的存储芯片，采取命令行列步队（Command Queue）技能，直接通过串行接口加快命令实行速率。

其随机读写速率达到了惊人的19000 IOPS，是常用的eMMC 5.0嵌入式内存（7000 IOPS）的2.7倍，普通高速内存卡（1500 IOPS）的12倍。
这对付手机相应速率的提升浸染十分明显。

同为内存大厂的东芝，现在也推出了全新的eMMC 5.1规格闪存。
也支持命令行序列，能够大幅度提升闪存的性能表现，其余还支持安全写保护功能，以提升安全性。
值得一提的是，虽然提升显著，但eMMC 5.1依然掉队UFS技能，随机读写性能在11000-13000 IOPS旁边。

东芝这次推出了四款eMMC 5.1产品，容量分别为16GB、32GB、64GB和128GB，封装尺寸为11.513mm，厚度则根据容量从0.8mm到1.2mm不等。
今年第二季度将正式量产，大概不久的将来我们就将在智好手机上大量见到该产品的身影。