国内首颗内置GaN电源芯片问世：削减40%外围最大年夜45W_氮化_功率

据赵少峰师长西席先容，东科DKG045Q系列采取QFN 5mm6mm封装， 内部整合了650V/200mΩ E-mode GaN HEMT、逻辑掌握器、GaN驱动器、高压启动管等，采取变频QR掌握办法，最大输出功率为45W，开关频率最高为200kHz。

东科DKG045Q系列采取高集成的设计，有助提高快充产品的整体功率密度。
除了将氮化镓器件内置，该芯片内部还集成了自供电线路，无需第三绕组，无需Vcc稳压电路、Brown in/Brown out保护、全电压恒功率补偿以及各种保护功能。

得益于东科合封氮化镓电源管理芯片DKG045Q以及高集成同步整流芯片DK5V100R10M的采取，东科45W氮化镓快充DEMO整体布局十分精简。
据悉，东科仅用了64个元器件就完成了这套参考设计的开拓，产品精简程度颠覆传统。
功率密度方面，该参考设计的整体尺寸约为43.1mm×36.1mm×19.6mm，配上外壳之后，其功率密度仍可以达到1.12W/cm³，领先目前市情上的大部分氮化镓快充产品。

总结

东科采取合封式掌握器+驱动器+GaN HEMT方案，减小快充方案在高频下的寄生参数，从而降落了快充电源的调试难度，并达到了精简外围元器件、提高功率密度的目的。

在本钱方面，得益于高集成的芯片设计，基于东科电源芯片开拓的氮化镓快充方案，外围器件数量减少了40%以上，生产本钱大幅降落，对推动速氮化镓快充技能的遍及起到了积极地浸染。