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升降压掌握器引脚图
运用线路如下图所示，利用4颗MOS组成升降压电路，从VBUS供应能量对VBAT进行预充电、恒流充电及恒压充电，亦或是从VBAT对VBUS放电供应负载能量的反向放电模式OTG；系统透过VBUS及VSYS的电压环，以及电流环SNS1及SNS2作为反馈掌握。
升降压充电芯片运用线路
充电设置
芯片在4串以内的锂离子电池运用下，可以透过Reg00[4:0]选择电池串数与充电截止电压，并由Reg05、Reg06设置IBUS与IBAT电流，为了提高低电流下的精度，可以透过Reg08[4:2]设置倍率，电池充电电流基准可由Reg0A[7]设置采IBAT或IBUS，如下图所示
充电寄存器
如上描述以外的运用时，电池串数、电压不在寄存器选择的范围内，充电截止电压可以利用VBATS管脚1.2V的基准电压下，透过外部分压电阻与寄存器设置来达成，如下图所示。
电池电压设置
VBUS电压调节
当输入电源支持恒压恒流输出时，如光伏电池，芯片支持VBUS电压调节功能，能调度输出能量使VBUS稳定在设置电压值，可以透过Reg07及Reg09[4]设置，如下图所示。
VBUS电压调节设置
反向放电OTG
芯片可以透过Reg0A[4]启动OTG模式，Reg01、Reg02或Reg03、Reg04分别用来利用内部或外部办法设置VBUS输出电压，如下图所示，在利用外部办法或大于25.6V以上输出电压时，利用分压电阻从VBUS对FB管脚进行分压。
OTG电压设置
路径管理
芯片供应了2个路径管理供给用，只需透过寄存器Reg0C[7:6]进行开启与关闭。
路径管理端口
