GF（GlobalFoundries，格罗方德）本周宣告，它已采取其12nm FinFET工艺制造出高性能3D Arm芯片。GF认为，这些高密度3D芯片将为打算运用供应“新级别“的系统性能和能耗，例如AI / ML以及高端设备和无线办理方案。”
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3D芯片的竞赛
测试芯片采取GF的12nm（12LP）FinFET工艺制造，同时在3D面中利用Arm的网状互连技能。这使得芯片更随意马虎扩展出更多的核心数量，并且数据能够更直接地从一个内核移动到另一个内核。而3D芯片可以在数据中央、边缘打算以及高端消费设备中降落延迟，提升数据传输速率。
“在大数据和认知打算时期，前辈的封装技能正在发挥比以往更大的浸染。人工智能的发展对高能效，高吞吐量互连的需求，正在通过前辈的封装技能的加速发展来知足。 “GF的平台首席技能专家John Pellerin在一份声明中表示。
“我们很高兴与Arm等创新互助伙伴互助，供应前辈的封装办理方案，进一步集成各种节点，优化逻辑尺寸，提高内存带宽和射频性能。这项事情将使我们对采取前辈的封装技能产生新的见地，使我们共同的客户能够更有效地创建完全、差异化的办理方案。“
两家公司已经利用GF的晶圆级邦定（wafer-to-wafer bonding），验证了3D设计测试（DFT，3D Design-for-Test）方法。GF表示，该技能每平方毫米可以实现高达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望延长12纳米3D芯片的利用寿命。
Arm是最近一家对3D芯片表现出兴趣的IP公司之一。英特尔去年宣告了其对3D芯片堆叠的研究，AMD也谈论了在其芯片上的3D堆叠DRAM和SRAM，当然，闪存NAND公司已经生产了3D存储芯片。业界彷佛致力在不久的将来制造更多3D芯片。
前辈节点滞后，GF专注3D芯片
GF最近不得不承认它无法为AMD推出Zen 2芯片供应7nm工艺。这极大地影响了两家公司之间长达十年的关系。当然，AMD仍旧是GF的客户，但比以前小得多。
GF不得不为未来重塑自我，由于摩尔定律已经放缓，缩小半导体工艺节点变得越来越困难和昂贵。转向3D芯片制造彷佛有助于GF保持与客户的关系，由于其客户哀求每年制造出更高性能的芯片。
由于12nm工艺更加成熟，因此在3D面上开拓芯片该当更随意马虎，而不必担心新的7nm工艺可能带来的问题。然而，台积电、三星和英特尔能够在比GF小得多的节点上开拓3D芯片只是韶光问题。如果是这样的话，GF可能不得不连续专注于生产具有“老技能”的高代价3D芯片。
雷锋网编译，via Tom‘sHardware 雷锋网
