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为什么LDO要防倒灌?_衬底_电位

admin 2024-11-11 04:27:26 0

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LDO线性稳压器由于具备构造大略、本钱低廉、低噪声、低功耗及较小封装尺寸等突出优点,在便携式电子设备中得到了持续且广泛的利用。

传统LDO事情事理紧张是输出电压经反馈电阻RF1、RF2分压采样输入偏差放大器EA的反向端,与偏差放大器EA的同相端基准电压VR比较偏差放大后输出掌握调节功率PMOS管MP的栅极电位,调节掌握使FB电位与基准VR相等,从而掌握输出电压VOUT。
常规正常事情情形,电流如图1中赤色箭头所示由VIN经由MP功率管源漏供输出负载运用。

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图1:传统LDO

传统型LDO的功率PMOS源与衬底连接VIN(办法如图1所示),功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio负向端连接VIN,正向端连接VOUT,由于传统型LDO一样平常运用于降压情形,VIN大于VOUT,功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio处于反向偏置不开启状态,常规运用不影响LDO的正常事情,但还是存在安全隐患,如输入输出接反、输入短路到地、输入溘然掉电等等,都会存在VOUT大于VIN电位的情形,且随着集成电路的高速发展和LDO广泛多样的运用,如负载端多电源供电选择(如图2范例运用简化图),存在VOUT电位大于LDO供电电源VIN电位情形,或VIN短接到地和悬空的情形,以上描述这些使得功率PMOS管衬底与漏之间寄生体二极管Dio处于正向偏置,如图3所示,输出端向输入端注意灌输大电流(赤色箭头方向),加大损耗电流同时可能造成功率PMOS管永久性破坏,这便是为什么LDO要有防倒灌(也称逆流保护)了,具有防倒灌(逆流保护)功能的LDO可以办理以上问题。

图2:双电源供电运用简图

图3:VOUT>VIN内置MP功率管破坏

Q2.LDO如何防倒灌?

为办理以上传统LDO所述存在逆流破坏的问题,我们供应一款具有逆流保护(防倒灌)的LDO(图4)——ME6251,集成防倒灌电路(Reverse Pro),使功率PMOS管衬底切换连接最高电位,冲破原有衬底与漏之间固定寄生的二极管效应,防倒灌电路(Reverse Pro)的输出旗子暗记V_control掌握功率PMOS管衬底Bo连接VIN与VOUT之间的最高电位,且掌握LDO内部使能电路及反馈端电路使其LDO内部其它电路在VOUT大于VIN电位时关闭内部电路事情,有效阻断逆向电流,保护芯片同时,同时最大限度降落功耗。

图4:带有防倒灌功能的LDO

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