究竟8英寸碳化硅会在切磨抛环节面临哪些问题？目前的工艺技能如何实现降本增效？作为家当链上游，他们如何看待8英寸进展？详情请看：
工时、本钱、良率
成为切磨抛环节最大寻衅
据理解，目前针对碳化硅的切磨抛工艺，紧张运用在两大工序中：一是碳化硅晶锭通过切、磨、抛加工，得到碳化硅衬底的过程，二是碳化硅晶圆经由背面减薄、抛光，然后进行晶圆划片，得到单个碳化硅芯片的过程。
在前一道工序中，海内针对6英寸SiC衬底的切磨抛工艺较为成熟，但针对8英寸SiC衬底，如今尚未进入量产验证阶段，这是由于从6英寸到8英寸，不同的工艺路线、设备及耗材，每每也须要重新设计及磨合，以进一步掌握本钱。
对此，惠丰钻石营销总监王军认为，碳化硅的莫氏硬度仅次于金刚石，属于高硬脆性材料，因此切磨抛过程耗时久，易裂片。尤其是8英寸碳化硅，要实现切割损耗小、并且切割出厚度均匀、翘曲度小的高质量SiC晶片，仍是目前面临的主要技能难点。
从行业进度来看，目前8英寸碳化硅都是小批量生产，比较于6英寸，切磨抛环节还都在优化中，估计其用时和本钱等方面在短期内将大大增加。
京创前辈也表示赞许，他们认为，在8英寸碳化硅时期，除了衬底加工环节外，晶圆加工环节也将面临极大寻衅：
一方面，碳化硅晶圆一样平常采取砂轮来进行背面减薄、抛光工艺，将厚度减至100μm旁边，以减少器件衬底电阻，但8英寸碳化硅晶圆由于尺寸扩大，减薄厚度、光滑度、良率更加难以掌握。
另一方面，金刚石刀片切割是分离碳化硅晶圆的传统技能，但从6吋到8吋，累积的切割长度会增加，导致切割刀片的磨损同步增加，晶圆的切割韶光亦会增加，从而导致本钱增高，并且可能会在切割过程中破刀，从而破坏晶圆。
聚焦8英寸降本增效
设备&耗材齐发力
值得把稳的是，针对8英寸切磨抛工艺在碳化硅衬底、晶圆加工的创新改进，京创前辈、惠丰钻石等企业已经率先实现占领难关，针对设备、材料进行更新换代，以进一步促进8英寸碳化硅实现降本增效。
京创前辈透露，他们多年来一贯聚焦在高精密切、磨、抛技能领域，目前在6英寸碳化硅产品上拥有丰富的作业履历，现有减薄和切割设备已可以支持8寸碳化硅产品。
个中，减薄设备可用于4-8英寸碳化硅晶圆的全自动减薄加工，在6英寸碳化硅晶圆上可实现粗糙度(RA)在7-8nm，TTV在0-2um的效果，在8英寸碳化硅晶圆上实验数据良好。
在晶圆划片加工环节，目前京创前辈切割设备装备了NCS功能/BBD功能/在线磨刀功能/刀痕检测功能，可以有效担保切割过程中，刀片持续保持一个优质的加工能力以及涌现非常时可以及时检出，经由测试，在5mm/s的切割速率下，可达到正崩≤7um，背崩≤25um。
作为材料供应端，惠丰钻石营销总监王军则表示，他们作为一家专业生产金刚石微粉及研磨液的厂家，可供应碳化硅衬底砂浆切割粉和粗磨精磨液，针对8寸碳化硅衬底，目前已推出高效砂浆切割粉，可有效降落切割本钱。
另一方面，他们致力于碳化硅衬底的切磨抛环节的耗材供应，从原材料及生产品质把控，持续为8英寸碳化硅衬底量产切磨抛工序保驾护航。
展望8英寸：
市场发展速率超出预期
值得关注的是，据统计截至2024年6月，环球已有30家企业正在或操持推进8吋SiC晶圆产线培植，个中中国企业就有13家。
不难预测的是，随着各条产线加快支配，8英寸碳化硅进入市场的机遇将大大提前，而原有的以6英寸为主的市场格局也势必会受到影响。
对此，京创前辈判断，目前，6英寸碳化硅晶圆仍旧是市场上的主流产品，而8英寸衬底正在成为行业的主要技能发展方向，成熟的8英寸碳化硅技能将有效办理6英寸碳化硅晶圆芯片产量有限和边缘摧残浪费蹂躏过大的问题，能使单片晶圆芯片的产量提高90%，单位芯片本钱降落近30%。
随着8英寸加速发展，碳化硅将迎来强劲的增长，在新能源汽车、光伏储能、风电、轨道交通、智能电网（5G）、航空航天等领域具有巨大的市场潜力。
惠丰钻石营销总监王军也认为，参考硅晶圆尺寸发展进程， 8英寸碳化硅衬底将是边际本钱递减的拐点尺寸，未来8英寸将是碳化硅衬底的主流尺寸。目前，随着市场变动，本钱压力加大， 8英寸SiC衬底将进一步加速推动量产，其发展速率可能会超出大家预期。
据调研，现阶段，8英寸碳化硅仅实现小批量供货，从碳化硅家当长期发展来看，亟需快速办理8英寸碳化硅量产化和降本难题，以加快市场的快速发展，这须要全体家当链的协同互助和技能创新。
来源：里手说三代半
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