大数据时期，算力等各种需求仍将不断刺激存储市场增长。据Yole预测，从2021到2027年，DRAM将以9%的年均增长率增长，2027年市场规模将达到1585亿美元，NAND Flash将以6%的复合增长率增长，市场规模将达到960亿美元。全体存储业的复合年均增长率估量为8%。国信证券剖析师胡剑等3月27日发布的研报指出，NAND紧张运用于存储端和手机端。据IDC统计，运用于存储器的NAND占比57.1%，运用于手机真个NAND占比30.6%。
胡剑指出，大模型演习产生海量数据存储需求，3D NAND需求提升，随着算力的不断进步，所需存储的数据量在以指数级的增长速率攀升。存储单元在水平方向上变得不易持续，尺寸微缩不再能够知足存储器的本钱需求，垂直堆叠存储单元的3D NAND逐渐成为市场主流。浙商证券剖析师陈抗等4月3日发布的研报指出，3D NAND是低本钱/大容量非易失落存储的主流技能方案，是前辈存力的提高方向之一。
中泰证券剖析师王芳等5月22日发布的研报指出，2D到3D大势所趋。2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，估量2025年3D NAND将占闪存总市场的97.5%。
国元证券指出，NAND Flash的家当链分为NAND Flash原厂颗粒、主控芯片设计、封装工厂与品牌发卖。各家当链环节中，封装企业与半导体封测企业有较大的重合，如日月光、长电科技、华天科技、通富微电等，我国在半导体封测领域处于国际上的第一梯队，因此在NAND Flash存储的封装领域表现也较为精良。
从竞争格局来看，3D NAND市场被外洋厂商霸占，长江存储努力突围。截至2022年，环球3D NAND市场紧张被三星、SK海力士、铠侠、西部数据、美光等外洋大厂所垄断，占比高达97%。胡剑指出，海内精良存储厂商长江存储厚积薄发，在环球NAND市场中已霸占一席之地，创新研发的Xtacking技能进一步提高了芯片的集成度，在堆叠层数上率前辈入了200层以上的第一梯队。
据财联社不完备统计，中微公司、国科微、东芯股份和德明利有3D NAND干系布局。
中微公司在互动平台表示，在3D NAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备可运用于64层和128层的量产，同时公司根据存储器客户的需求正在开拓验证新一代设备。
国科微在互动平台表示，公司自研的固态硬盘掌握器芯片，属于微处理器和逻辑集成电路的范畴，紧张用于后端掌握2.5/3D NAND存储颗粒，前审察符SATA等类型的接口规范哀求。
东芯股份在互动平台表示，与2D NAND比较，3D NAND可以通过将存储单位进行多层堆叠的设计办法，在相同的产品体积下，堆叠内存能够实现数倍于传统内存的存储容量，公司在3D NAND方面具有相应的技能储备。
德明利在互动平台表示，我国的长江存储（YMTC）经由多年的研发和设备投入，已逐步开始量产并向市场供应NAND Flash芯片产品，从根本上冲破了NAND Flash芯片长期由境外厂商垄断的市场格局，公司于2020年11月成为长江存储（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生态互助伙伴，并开始批量采购和产品验证，有望尽快实现移动存储产品从晶圆到闪存主控芯片的100%国产化大规模替代。
