1.前级功率管：用的是后羿半导体80V大电流系列MOS管，电流等级有140A（HY3408),170A(HY3708),200A(HY4008),现在上机测试的是的HY370816，参数为80V170A,内阻为3.8MR(typ).4.5MR（max）;
2.前级驱动IC:SG3525+MIC4452
3.变压器：一共4个，每个设计功率1250W,磁芯为PQ50。低级280.3mm铜皮3T+3T,次级280.15mm铜皮12T。
4.高压整流管：RHRG75604;
5.后级功率管：80N60，一共8只IGBT;
6.后级驱动的主芯片：EG8010+IR2110；
7.推挽软开关电路和硬开关电路比拟。
这里解释下的是，EG8010用了非官方的接法，已经做到每路驱动都是10MS事情在50HZ方波，10MS事情在SPWM高频载波，这样的好处是可以肃清过零点的振荡，还可以做到4路功率管发热和寿命均等。我这种接法的优点是已经不须要其余用4081做去世区，去世区韶光还是由EG8010设置。
先上个板子的图片吧，往后再详细先容：
前级分别带1-4KW的MOS管的漏极波形：
1KW:
2KW:
3KW:
4KW:
由于电源的限定只测到4KW.
后级带在1-4KW的实拍图片：
发个带载4000W的输出波形：可以看出由于8010改进了接法，就算滤波电感不大，过零点的振荡也已经基本肃清：
短路保护：本机短路保护为不关去世的打嗝办法，周期为几百MS短路解除后会自动规复.
下面是短路时取样电阻（0.025R)上的波形：
母线取样电阻为0.025R,从短路波形上可以看出短路电流才1.5V/0.025R=60A,我试了便是4个80N60都很可靠，何况是8只，短路功率为400V60A=24KW.
本机空载电流约为1.1A:
短路后由于前后级处于间隙事情状态，短路时24V输入电流不到0.1A:
EG8010改进接法后的后级IGBT管的驱动波形：
下管：
上管：
可以看出软开关的波形在不同负载下都是干净俊秀没有尖峰，下面是软开关状态下效率实测图片：
