1. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：分离金球（bond ball）与bond pad，用于检讨剖析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH溶液 温度：室温 堕落韶光：约5分钟 （取决于样品） 方法解释：该方法是利用铝的两性，通过碱性溶剂把金球和bond pad之间的铝层溶掉，终极把bond pad和金线分离出来，用于检讨剖析。在堕落铝层时，金线不会被堕落掉。溶液浓度可根据产品特点进行调度，也有用氢氧化钾的，但不宜用高浓度的碱进行堕落，须要掌握好韶光，否则会对芯片造成损伤。
2. 铝 （Al bond pad）+ 金线键合（Au wire bond） 目的：检讨bond pad，不关注bond ball 试剂：碘化钾，单质碘，纯水， KI : I2 : DI =115g : 65g : 100g 温度：室温 堕落韶光：10分钟~15分钟 （取决于样品） 方法解释：该方法是直接把金溶掉，终极把bond pad暴露出来进行检讨剖析，在堕落金的同时，bond pad上面的铝层也会被堕落掉。 特点是对金的堕落速率较快，缺陷是堕落不掉的残留物有时较难去除干净。当然去除金的方法还有多种，比如王水，汞等，但王水的氧化性太强，对很多材料都有堕落性或者负面影响，汞属于毒性很强的物质一样平常也不常用，在冶金上面会用于提取金。
3. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：分离铜球（bond ball）与bond pad，用于检讨剖析 IMC 和bond pad 试剂：10% NaOH 温度：室温 堕落韶光：约5分钟 （取决于样品） 方法解释：该方法是用氢氧化钠溶解铝层，但氢氧化钠不会堕落铜线，终极可以把bond pad和铜线分离出来，可以检讨bond pad和IMC，与金线IMC检讨的方法一样。
4. 铝 （Al bond pad）+ 铜线键合（Cu wire bond） 目的：溶解铜线，用于检讨剖析 bond pad，不须要担保铜线的完全性 试剂：发烟硝酸 温度：室温 堕落韶光：30秒~ 1分钟 （取决于样品） 这时可以进行bond pad的检讨，此时铝层还在pad上，如果须要进一步把铝层去除，可以接着做下面一步： 试剂：HCL （37% ） 温度：50 °C 堕落韶光：1分钟~ 3分钟 （取决于样品） 方法解释：该方法是用发烟硝酸直接溶解铜线，但由于铝具有钝化浸染而得以保留，该方法分两步分别把铜线和铝层溶解掉，可以检讨bond pad的铝层描述以及去掉铝层后的芯片pad。
5. 铝 （Al bond pad）+ 铝线键合（Al wire bond） 目的：溶解铝线和铝层，用于检讨剖析 bond pad，不能担保铝线线的完全性 试剂：HCL （37% ） 温度：35 °C 堕落韶光：1分钟~ 2分钟 （取决于样品） 方法解释：该方法是用盐酸溶解铝质材料，终极可以把bond pad暴露出来，但无法选择性地只去除bond pad上的铝层，这种产品没有IMC的问题，如果要检讨键合效果一样平常会通过其它方法来评估，比如断面剖析，RIE等。微ictest1#半导体##芯片##测试#
半导体弹坑实验
