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专利择要显示,本实用新型履行例公开了一种自举二极管替代电路及芯片,包括:第一二极管,其第一端与供电电源端连接;N型MOS管,其第一端与第一二极管的第二端连接,其第二端与高边浮动电源端连接;升压模块,其与N型MOS管的栅极连接,升压模块用于坚持N型MOS管的栅极电压;第一电容,其第一端与高边浮动电源端连接,其第二端与高边浮动地端连接;个中,高边浮动地端用于与半桥电路的半桥节点连接,半桥电路包括第一开关管和第二开关管,第一开关管和第二开关管形成的共接处作为半桥节点。通过本方案,能够有效减少芯片面积,降落减小自举二极管电路的正引导通压降,更好地知足半桥驱动电路中高边供电电路的需求,同时也能够降落电路中器件的耐压需求。
本文源自金融界


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