FM25V01A-G是一个串行FRAM存储器。存储器阵列被逻辑组织为16,384×8位,利用工业标准的串行外设接口(SPI)总线可以访问它。FRAM和串行闪存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G与串行闪存或具有相同引脚分布的EEPROM的紧张差异在于FRAM具有更好的写性能、高耐久性和低功耗。 存储器架构当访问FM25V01A-G时,用户寻址16K地址的每8个数据位。这些8位数据被连续移入或移出。通过利用SPI协议可以访问这些地址,该协议包含一个芯片选择(用于支持总线上的多个器件)、一个操作码和一个两字节地址。该地址范围的高2位都是‘无需关注’的值。14位的完全地址独立指定每个字节的地址。 FM25V01A-G的大多数功能可以由SPI接口掌握,或者通过板上电路自动处理。存储器的访问韶光险些为零,该韶光小于串行协议所须要的韶光。因此该存储器以SPI总线的速率进行读/写操作。与串行闪存或EEPROM不同的是,不须要轮询器件的就绪条件,这是由于写操作因此总线速率进行的。新的总线数据操作移入器件前须要完成写操作。 赛普拉斯铁电RAM(FRAM)存储器,通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失落性和无限读/写相结合,供应业界功耗最低的关键任务非易失落性存储器循环耐力。这使得FRAM成为便携式医疗、可穿着、物联网传感器、工业和汽车运用的空想数据记录存储器。












