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据悉，三星的7nm LPP采取EUV光刻，机器采购自荷兰ASML（阿斯麦），型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片。
大略来说，EUV利用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片，而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依赖193nm波长，并且须要昂贵的多模掩模装置。EUV技能使得利用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能，而ArF可能须要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。也便是说，与非EUV工艺比较，三星的7 LPP工艺可使光罩总数减少约20%，为客户能够节省韶光和本钱。
三星透露，其从2000年旁边就动手研究EUV技能了。
技能指标上，比拟10nm FinFET，三星7nm LPP可实现面积能效（同样繁芜度为量纲）提升40%、性能增加20%、功耗降落最多50%。
三星透露，基于EUV的7nm LPP成功量产为其推进3nm奠定了根本、指明了道路。产能方面，紧张在韩国华城的S3工厂，2020年前会在开一条新产线。
目前已知，高通新一代的5G基带会采取三星的7nm LPP工艺，看起来骁龙8150/8180等SoC希望也很大。
图为三星EUV产线
标签：三星
