寄生电阻延迟的办理方案
寄生电阻的问题来自于线路本身的电阻性，利用电阻值更低、传导性更佳的线路材质可以缓解寄生电阻延迟的问题。由于铜比铝有更好的导电率，电阻较低，目前集成电路业界已经采取铜互连技能来代替铝互连技能。
寄生电容延迟的办理方案
在集成电路内部，不同层互连线之间须要ILD(Inter Layer Dielectrics，层间电介质)来隔离并支撑。由于ILD的存在，导线之间就不可避免地存在寄生电容。利用低介电常数材料（low-k）作为ILD，可以有效地降落金属互连线之间的寄生电容，从而提升芯片的稳定性和事情频率。因此，Low-K工艺是目前集成电路的发展重点，特殊是在逻辑运算，存储等领域。
芯片
Low-K材料的加工方法
Low-K材料难以用普通的金刚石刀轮进行切割，缘故原由是金刚石刀轮直接浸染会导致Low-K材料的飞溅和外不雅观不良，如崩缺、裂纹、钝化、金属层掀起等征象。因此需先用激光去除硅晶圆表面的Low-K层，之后用刀轮切割硅等衬底材料。
目前主流的low-k层去除办法是利用激光开槽技能，通过光路系统将光斑整形成特定的描述,将激光聚焦于材料表面达到特定槽型，并利用超快激光极高的峰值功率，将low-k层瞬间汽化，没有中间过程，从而极大的减少热影响区，是一种前辈的激光“冷” 加工工艺制程。
Low-k开槽加工办法
如上图所示，激光加工Low-K开槽的加工办法是先用Dual narrow办法在切割道内部切两条细保护槽（Trenching），再用Wide beam办法进行宽度开槽（Grooving）。
Low-K晶圆加工工艺流程
Low-k晶圆加工工艺流程
全自动晶圆激光开槽设备
全自动晶圆激光开槽设备
大族半导体凭借在激光微加工领域的实践履历和理论根本，于2018年在海内率前辈行Low-K开槽关键技能的研发并取得打破性进展。基于材料损伤的基本事理，选用分外脉冲宽度激光器，利用平顶光整形和光斑形状整形等多种手段，开拓出更具竞争力的工艺效果。同步研发推出紫外纳秒加工方案，可以在担保槽型知足须要的提前下，带来更高的加工效率，陆续得到行业标杆客户的高度认可。
运用领域
半导体激光开槽机是为半导体硅晶圆Low-K材料激光开槽设计，适用范围拓展到金属膜以及GaN/Si晶圆激光开槽、硅晶圆、钽酸锂晶圆以及氮化镓晶圆切割等。
设备上风
·支持全自动、半自动功能，涂胶、切割任意工位抽检，优化动作流程，担保效率始终最优；
·可以实时监控所有Wafer以及全体系统流程及状态；
·开拓的非常保护机制，担保非常时Wafer不被破坏；
·定制大理石底座和高精度切割模块，合营自研算法，实现稳定的微米级加工；
·优化自动化高下料模块，实现超薄片（≤80μm）稳定搬运。
紧张参数
设备参数
加工效果
加工效果1
加工效果2
大族半导体将结合公司雄厚的技能实力，秉持“创新驱动发展，制造崛起未来”的理念，深耕行业，紧随市场，持续为半导体家当供应创新办理方案，努力实现半导体设备国产化。
