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专利择要显示,本公开的各种履行例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,个中像素传感器超过多个集成电路(IC)芯片。光电检测器和第一晶体管在第一IC芯片处形成像素传感器的第一部分。多个第二晶体管在第二IC芯片处形成像素传感器的第二部分。通过省略光电检测器处的STI构造,环绕像素传感器并界定像素传感器的掺杂阱可以具有比其他情形下更小的宽度。因此,掺杂阱可以花费更少的光电检测器面积。这继而又许可增强像素传感器的按比例缩小。本申请的履行例还涉及图像传感器及其形成方法。
本文源自金融界


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