MOS管发热一样平常有下面这几种情形：
1、电路设计的问题，便是让MOS监工作在线性的事情状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个缘故原由。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完备导通，P-MOS则相反。没有完备打开而压降过大造成功率花费，等效直流阻抗比较大，压降增大，以是UI也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的缺点。
2、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一样平常须要良好的散热才能达到。以是ID小于最大电流，也可能发热严重，须要足够的赞助散热片。
3、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
4、频率太高，紧张是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，以是发热也加大了。
MOS管发热了怎么办呢？
先从理论上剖析MOS管选型是否合理，从MOS管的规格书上获取MOS管的参数，包括导通电阻、g、s极的导通电压等。在确保实际驱动电压大于导通电压的条件下，如果负载电流为I，那么MOS管在导通状态下花费的功率为IIRDS(on)。比如MOS管的导通电阻是100毫欧，负载电流为10A，则MOS管花费的功率高达10W。
一样平常的TO220封装的器件，耗散功率为0.5W，温升都可能达到50度，高达几瓦的耗散功率的选型是不合理的。1A以内的负载电流选择导通电阻几百毫欧的MOS管，1A-5A的选择导通电阻几十毫欧的MOS管，5A以上选择导通电阻为几毫欧的MOS管。
把稳，如果MOS管开关频繁，比如通过PWM旗子暗记掌握MOS管的开关，应根据PWM的频率掌握GS极驱动旗子暗记开关瞬间的上起落低韶光，G极的限流电阻不能太大，GS极之间不能并电容，同时须要用推挽输出的旗子暗记掌握MOS管的通断。
从MOS管的规格书中，可以得到G、S之间寄生电容及导通电阻，以常常利用的NCV8401为例，其寄生电容为，导通电阻为30mΩ，C1大概为100pF旁边。
如果选择1kΩ的驱动电阻，R2，C1的韶光常数为100ns，假设开关电源的频率为1MHz。假设MOS关断时，DS极之间的电压为311V，导通时流过DS极的电流为1A。那么，在一个周期1us内，上升和低落沿花费的能量之和约为1A311V100ns2 (完备关闭或打开以2倍韶光常数计)，均匀花费的功率为62.2W。在完备导通的韶光内花费的能量为1A30 mΩ1A(1us-400ns)，均匀花费的功率为18mW。可见，开关过程花费的功率远大于完备导通时花费的功率。
以是，应减少驱动电阻，当把驱动电阻减小到100Ω时，上升、低落韶光相应减少到原来的1/10旁边，功耗大概会降到6W。
