捷捷微电申请双向可控硅芯片专利提高了散热效果和产品的di/dt值_阳极_所述

专利择要显示，本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法，其通过把门极和阳极设计在同一侧，阴极设计在另一侧，使得阴极和底板可以焊接在一起，提高了散热效果和产品的di/dt值，并且利用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的运用空间，所述芯片包括从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶材料区N，其特色在于：所述芯片的门极和阳极设置在上表面，阴极设置不才表面，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超过PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。

本文源自金融界