IGBT模块驱动电路设计事理_发射极_栅极

IGBT模块电路如下图1所示，赤色框内对应上管IGBT和下管IGBT。
个中4/9引脚为IGBT模块上管集电极，7脚为上管栅极，8/10/11为上管发射极同样是下管的集电极（半桥运用时为输出极），1脚为下管栅极，3脚为下管发射极，5脚和6脚为IGBT模块热敏电阻用于监控IGBT的结温。

图1 IGBT模块电气图

IGBT掌握旗子暗记加在栅极和发射极之间，常日IGBT开通信号为＋15V，关断旗子暗记为-9V。
（详细根据不同IGBT Datasheet进行设计）；IGBT集电极加直流电压正，发射极加直流电压负。

IGBT模块不同封装实物图

常用的IGBT模块实物图如下图2所示，个中焊接在IGBT上面的电路板为驱动底板，紧张配置有栅极开通、关断电阻、集电极串有二极管用于过流检测用。

图2 IGBT模块封装实物图

IGBT模块驱动设计

IGBT常用的驱动可以采取国外的如瑞士的Concept的驱动、海内青铜剑的驱动；也可以利用安华高的HCPL-316J或三菱公司的M57962L驱动光耦进行搭建外围电路芯片，设计驱动电路。
三菱公司的MM57962L驱动光耦通过匹配外围得当的电路可以作为1700V 600A的IGBT，海内替代的厂家有北京落木源和金升阳的IGBT光耦。
下图3为金升阳的QC962-8A（完备兼容M57962L）驱动外围电路图，电路比较成熟，目前我们在一些大功率电力电子设备上进行了批量运用。

图3 驱动运用电路