长鑫存储申请光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统专利提高半导体基底清洗效果_所述_基底

专利择要显示，本公开履行例供应一种光刻胶的去除方法、半导体器件的形成方法及系统。
个中，所述光刻胶的去除方法包括：获取经刻蚀处理后的半导体基底，所述半导体基底上形成有待去除的光刻胶层，所述光刻胶层的表层中包含在所述刻蚀处理过程中产生的副产物；对所述半导体基底进行灰化处理，以去除所述光刻胶层的表层，在所述灰化处理过程中，所述半导体基底的位置是动态调度的；对灰化处理后的所述半导体基底进行洗濯处理，以暴露所述光刻胶层的残留物；洗濯处理后的所述半导体基底再次进行所述灰化处理，以去除所述残留物；对再次灰化处理后的所述半导体基底进行所述洗濯处理。

本文源自金融界