BP87422、425、515、526、618原边控制芯片设计及应用_电压_高压

1. 基本构造：

SSR的原边由光耦合器（光电耦合器）组成，个中包括一个发光二极管（LED）和一个光敏三极晶体管（Phototriac或Photodarlington）。

2. 事情事理：

当输入掌握旗子暗记（常日是低电压直流旗子暗记）施加到SSR的LED上时，LED产生光，照射到光敏三极晶体管。
光敏三极晶体管的感光部分被引发，导通输出。

3. 磁耦驱动的优点：

电气隔离：采取磁耦合技能，实现了输入和输出之间的电气隔离，提高了系统的安全性。

可靠性：无机器触点，减少了由于机器磨损导致的故障，提高了SSR的寿命和可靠性。

4. 运用：

温度掌握系统：用于掌握加热元件的通断，例如电炉、热板等。

照明系统：用于掌握灯光的开关，实现亮度调节。

电机掌握：用于掌握电机的启停和速率调节。

5. 分外用场型：

零电压开关（ZVS）：一些SSR设计采取零电压开关技能，降落电流开关瞬间的电磁滋扰。

过电流保护：一些SSR具备过电流保护功能，可以在负载电流非常时割断输出，防止破坏。

6. 驱动电路：

驱动电路常日由一个电流限定电阻和一个输入掌握旗子暗记组成，确保适当的电流流过LED，以使光敏三极晶体管正常事情。

7. 把稳事变：

额定电流和电压：在选择SSR时需确保其额定电流和电压符合详细运用的哀求。

散热：高功率SSR须要适当的散热方法，以确保永劫光稳定运行。

总之，SSR磁耦驱动的原边部分通过磁耦合技能实现了电气隔离，提高了设备的可靠性，广泛运用于须要掌握电流流动的各种场景。

重点1:数据手册

BP87422 是一款运用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V 具有 IGBT 构造的复合功率管，集成高压自供电，集成VCC 电容，适用于全电压输入 20W 输出双绕组变压器的反激变换器运用。
BP87422 支持自适应 COT 掌握办法，可事情于 CCM 或DCM 事情模式。
吸收和解调配对的副边掌握器(BP432X)通过磁耦隔离器 (BP818) 发送到原边的脉冲旗子暗记，掌握原边功率管的开通，从而实现副边掌握。

上风：

运用领域：

事理图：

封装：

重点2:数据手册

BP87425 是一款运用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V 具有 IGBT 构造的复合功率管，集成高压自供电，集成 VCC 电容，适用于全电压输入 33W 输出双绕组变压器的反激变换器运用。
BP87425 支持自适应 COT 掌握办法，可事情于 CCM 或DCM 事情模式。
吸收和解调配对的副边掌握器(BP432X)通过磁耦隔离器 (BP818) 发送到原边的脉冲旗子暗记，掌握原边功率管的开通，从而实现副边掌握。

上风：

运用领域：

事理图：

封装：

重点3:数据手册

BP87515 是一款超低待机功耗、宽 VCC 电压范围的反激变换器原边驱动芯片。
内置 650V 高压 MOSFET，集成高压启动电路，适用于全电压输入、宽输出电压范围、35W输出的反激变换器运用。
BP87515 支持自适应 COT 掌握办法，可事情于 CCM 或DCM 事情模式。
吸收和解调配对的副边掌握器(BP432X)通过磁羯隔离器 (BP818) 发送到原边的脉冲旗子暗记，掌握原边功率管的开通，从而实现副边掌握。

上风：

运用领域：

事理图：

封装：

重点4:数据手册

BP87526 是一款高性能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激原边驱动芯片。
内置 650V 高压 MOSFET，集成高压启动、高压赞助供电电路，适用于高效率、小体积、高可靠性、宽输出电压范围的 35~55W 反激变换器运用。
BP87526 支持自适应 COT 掌握办法，吸收和解调配对的副边掌握器发送到原边的脉冲旗子暗记，同时检测原边漏极电压谷底，掌握原边功率管的开通，实现较高的效率。

上风：

运用领域：

事理图：

封装：

重点5:数据手册

BP87618 是一款高性能、高集成度、低待机功耗、高频准谐振反激原边驱动芯片。
内置 650V GaN 功率管，集成高压启动电路、X 电容放电电路、高压赞助供电电路，适用于高效率、小体积、高可靠性、宽输出电压范围的 60~120W反激变换器运用。

上风：

内置 650 V GaN 功率管集成高压启动集成X 电容放电150 V 赞助供电耐压，知足宽输出电压范围自适应 COT 掌握，快速的动态相应磁耦通信实现超低待机功耗，<30 mWQR 谷底开通，优化效率和 EMI 特性最高可达 140 kHz 开关频串知足 LPS (Limit Power Source) 安规哀求完备的保护功能

运用领域：

事理图：

封装：