1.检流电阻办法
利用检流电阻办法如图3-1所示，掌握器内置比较用具有最大检测阈值Vsense(max)，检测阈值可配置（例如当ILIM引脚接地、浮动或绑定到INTVCC时，最大阈值分别设置为50mV、75mV或100mV）。电流比较器阈值设置电感电流的峰值，产生最大均匀电感电流Imax，即是峰值小于峰峰纹波电流∆IL，以是要打算检流电阻值，利用以下公式：
每个通道的Imax实际值取决于所需的输出电流Iout(max)，可通过以下方法打算：（此处以双通道为例）
当在低Vin和极高电压输出运用中利用掌握器时，由于知足增压调节器的内部补偿，最大电感器电流和相应的最大输出电流水平将降落，范例性能特性部分供应了一条曲线，以根据事情负荷系数估计峰值电感电流水平的减少，实际Rsense选型回看。
2.DCR办法
对付在高负载电流下须要最高效率的运用，掌握器能够感应到电感器DCR上的电压降，如图3-1所示。对付大电流电感器，该电感器的DCR可小于1mΩ，在须要这种电感的大电流运用中，与DCR传感比较，通过检流电阻的传导丢失可以降落几%的效率。
图3-1：检流电阻和DCR办法的补偿网络
如果选择外部R1||R2，C1韶光常数完备即是L/DCR韶光常数，则经由外部电容器的电压降即是电感器DCR的电压降乘以R2/（R1+R2）。在DCR大于目标传感电阻值的运用中，R2对跨传感端子进行电压的缩放，要精确地选择外部滤波器组件，必须知道电感器的DCR，可以用一个好的RLC计来丈量，但DCR的公差并不总是相同的，并随温度而变革，有关详细信息，请查阅制造商的数据表。
利用电感值打算电感纹波电流值，目标总体感测电阻值为：
为了确保运用程序将在全体事情温度范围内供应全负荷电流，请选择最大电流感应阈值（Vsense）的最小值。
接下来，确定电感器的DCR值，如有，利用制造商的最大值，常日为20°C增加此值以阐明电阻的温度系数，约为0.4%/°C，最高电感温度[TL(max)]的守旧值为100°C。要将最大电感器DCR缩放到所需的感测电阻值，利用分频器比：
C1常日选择在0.1uF到0.47uF的范围内，这将使R1|| R2上升到2k旁边，减少了可能由感应针的±1uA电流引起的偏差。等效电阻R1|| R2被缩放为室温电感和最大DCR：
感应电阻器的值为：
R1中的最大功率损耗与占空比有关，并且将在Vin=1/2Vout的连续模式下发生：
须要确保R1的额定功率高于此值，如果在轻负载下须要实现高效率，则在决定是否利用DCR传感或感测电阻时，须要考虑这种功率损耗。由于R1产生的额外开关损耗，DCR网络的负载功率损耗可能比利用检流电阻略高，但是DCR传感肃清了传感电阻，减少了传导损耗，并在重负载下供应了更高的效率，这两种方法的峰值效率大致相同。实际上，电流检测精度受到基于温度的DCR变革的影响，在一些掌握器中，电流放大器可以编程以知足一样平常电感器的更多运用，纵然其DCR不能知足上述哀求。
3.检流位置
如图3-2所示，对付采取DCR的检流办法，检测点位位于输出端：
图3-2：降压拓扑DCR办法
在早些年的时候，对付采取Rsense的办法，如图3-3所示，电流采样点有三个位置，1--->开关回路，即与高侧MOSFET串联，2--->续流回路，即与续流二极管或低侧同步MOSFET串联，3--->输出端，即与电感器串联。这里不再详细谈论三个位置的差异性，由于涉及到峰值电流模式和谷值电流模式，并且芯片技能进化到现在，Rsense办法的位置基本都在电感端，即图3-3中的3号位或者图3-4中的1号位。
图3-3：降压拓扑Rsense位置
而升压拓扑的分外性，检流电阻的位置有1--->输入端，2--->输出端，由于掌握器本身须要花费一定的功率，以是升压拓扑的Rsense放置位置是在1号位。
图3-4：升压拓扑Rsense位置
4.连接办法
传感器+引脚还为掌握器内部比较器供应功率，正常事情时会有uA级别的小基底电流流入Sense引脚，而高阻抗Sense-输入到电流比较器使得利用DCR也可以达到很高的精度。
与感测线相互浸染的滤波器组件应放置在靠近掌握器本体的位置，并且感测线利用开尔文连接。否则其它地方的传感电流可以有效地将寄生电感和电容添加到电流感测元件上，降落感测端子上的有效信息，使得检流精度降落。如果如图3-1利用DCR传感，感测电阻R1应放置在靠近开枢纽关头点的地方，以防止噪声耦合到敏感的小旗子暗记节点中。
