事理剖析：单波驱动与双波（上半波，下半波)驱动，看起来一样，实际不一样。双驱是消隐不须要的其余一半波形，做到加速整形。朋友们假如真须要，我可以上贴个双驱无损整形电路。
单波整形加速驱动有个问题最难办理便是三极管都处在线性状态导致消散落旗子暗记近一半幅度，占空比越大，肃清越厉害。我在研发有缘钳位正激电源时，对钳位管驱动就碰着不同的结果。查遍参考电路，书本文献，无非都是理论上完美，实际并不是那样。以是就有了找出能调宽，又不损耗的决心。终极实现。
C1 ， R1 ， Q1 ，R3只是为Q2供应赞助加速，MOS GS关闭放电是由Q2完成。驱动旗子暗记正向（上升）分三路：1路经D1整流（单向浸染）R2限流（缓冲，这个电阻可以调度波形上升沿的斜度）加到MOS管GS极充电GSc，MOS导通。2路C2，D2快速钳位Q2，Q2（pnp)的c b极保持电位持平，Q2一贯截止.3路经C1加速Q1截止。R2为Q2供应偏置，稳定Q1。
驱动旗子暗记反向时，1路迅速低落，有D1单向关系，回路不导通，复位损耗为0，反向复位电动势为2路，3路供应Q1 Q2快速导通。由于D2的存在，2路 3路的反向电动势没有回路关系，就 不存在损耗。全体电路D2最关键浸染，它既能阻断反方向通道，又可以阻断反方向时MOS 的gsV电流对Q2的线性关闭。
测试结果;直接驱动（不加快速驱动）波形有毛刺尖峰，高下沿250NS，比拟 ：加上快速驱动电路波形整洁，低落沿50NS，与原始波形同等。驱动电流还小1mA，可能是直接驱动的尖峰能量经整流加以运用的结果。实际上是直接驱动旗子暗记是PWM AC-AC，加加速电路有D1，GSc的关系，就成为PWM AC-DC的过程。
为了验证这个电路到底有多神，实拍照片是不会骗你的。先看看直接串R 8.2欧姆驱动波形，（带0260管(60A200V）国产低压MOS管，这个管子是最难驱动的烂管，比0275还难驱动。）
上面是35V 60V 90V电压输入，不同占空比的波形和电流损耗，这个是不加加速电路直接驱动，
再看看加速电路后的波形：
比拟：无加速直接驱动(35V 0.034A ) (60V 0.058A) (90v 0.067A)
有加速电路驱动电流情形（35V 0.026A) (60V 0.036A) (90V 0.048A)
提示：三种电压是输入端给IC和驱动电路供电（包括稳压),目的是显示不同占空比，IC芯片是按照输入电压限定不同占空比。波形是测试钳位管隔离变压器驱动输出端。相同MOS管。
有加速驱动明显损耗小了很多，波形整洁完美。关闭速率100NS，
把输出波形与隔离变压器（1:1）低级波形做个比较
这是50%占空比低级和次级输出波形，幅度仅仅减低二极管的压减0.7V，波形不但的到整形，关闭速率也可以知足MOS的最佳哀求，
提示：关闭速率跟Q2三极管的参数也有关，运用是应选择三极管。本例采取S8050 和S8550图腾
比拟：无加速直接驱动(35V 0.034A ) (60V 0.058A) (90v 0.067A)
有加速电路驱动电流情形（35V 0.026A) (60V 0.036A) (90V 0.048A)
从这2组数字比拟，直接驱动与加速电路驱动，损耗相差巨大，本人认为，这种损耗是隔离变压器的复位期间产生的。
为证明到底加入电路后有没有损耗，早上做了个实验，我拿掉MOS管，同样测试条件
这是不焊上MOS管，留下加速电路的测试波形和供电电流，60V 14mA
再看：断开隔离变压器次级，什么都不带，
供电电流还是 14 mA 断开次级，当然没有波形涌现。隔离变压器空载
再看看隔离变压器空耗有多大，
断开了隔离变压器低级隔直电容，供电电流11mA.
从上面测试看，加入的加速电路，确实没有给隔离变压器带来损耗，加入与不加入都是14mA。
断开隔离变压器只剩下11mA电流，，到是隔离变压器有3mA损耗。
