捷捷微电取得高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法专利实现极高的正向阻断电压_光刻_电极

专利择要显示，本发明公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N‑型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。
制造方法：成长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及堕落、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。
本发明知足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。

本文源自金融界