台积电3nm工艺步入正轨2024下半年将如期投产N3P节点_工艺_晶体管

N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。
台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nm 工艺。

IT之家查询干系宣布，台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以靠近于 N3E。
作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示全体过渡过程非常顺利。

N3P 的关键上风在于其带来的增强规格。
与 N3E 比较，芯片设计职员可以期待在相同功耗下性能提升约 4%，或在匹配时钟下功耗降落约 9%。
对付由逻辑、SRAM 和仿照元件组成的范例芯片设计，晶体管密度也提高了 4%。