该电源由3个紧张的组成部分:TOP249芯片;线性光电耦合器PC817;可调精密并联稳压器TL431.电阻R9和R10用于外部设定功率开关管的漏极极限电流Imax，使极限电流高于满载或输出欠压时的漏山顶极峰值电流。这就许可在电源启动过程中或者输出负载不稳定但未涌现饱和的情形下，采取较小尺寸的高频变压器。
当输入直流过压时，R9和R10还能自动降落最大占空比Dmax，对最大负载功率加以限定。
R11为欠压和过压检测电阻，并能够给线路供应电压前馈，以减小开关频率的颠簸。
取R11=2M时，当直流输入电压达到100V时，电源才能启动。
TOP芯片的欠压电流 Iuv=50uA，过电压时电流 Iov=225uA，根据公式可以得到欠压和过压电压：
Uuv=IuvR11；Uuv=100V
Uov=IovR11；Uov=450V
过电压时，最大占空比Dmax随流入X真个电流 Ix 增大而减小，当 Ix从90uA增大到190uA时，最大占空比会从78%降落到47%。
在掉电后，欠压检测会在C1放电时减小输出滋扰，只要涌现输出调节失落效或者输入电压低于40V的情形，TOP芯片都会自动关断，当然，电压大于450V时，芯片也会关断，避免元器件破坏。
由VDz和VD1构成漏极钳位电路，能接管在MOSFET关断时由高频变压器一次绕组感应产生的尖峰电压，保护MOSFET不受破坏。VDz采取200V的瞬态电压抑制器，VD1采取快规复二极管，其反向耐压为800V。将电容C11和VDz并联后，能减少钳位损耗。
反馈线路由817B和TL431构成，输出电压Uo通过电阻分压R4、R5、R6获取取样电压，与TL431的基准电压进行比较后，产生偏差电压，再经由光电耦合器去改变TOP芯片的掌握端电流Ic，使占空比发生变革，进而调节Uo保持不变。偏置绕组的输出电压经VD4、C15整流滤波后，给光耦中吸收管供应偏压。C5还和R3一起构成尖峰电压滤波器，使偏置电压在负载较重时能保持恒定。
R7、C9、C10和R3、C5、C8均为掌握环路的补偿元件。
