乾照光电申请LED芯片及其制作方法专利可提高LED芯片的抗静电能力_静电荷_半导体

专利择要显示，本发明供应一种LED芯片及其制作方法，个中，LED芯片包括设置于衬底一侧的外延叠层，外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区及P型半导体层，在N型半导体层背离衬底的一侧表面设置有位错再生层，用于泯没由衬底向位错再生层延伸的第一穿透位错，并重新天生均匀分布的第二穿透位错；且位错再生层和有源区之间设有静电荷网络层，各第二穿透位错的顶部延伸至静电荷网络层作为V型凹坑的尖端起始点诱发形成均匀分布的V型凹坑以构成泄电通道，然后通过静电荷网络层将N型半导体层一侧的静电荷网络，并利用泄电通道将P型半导体层一侧的静电荷均匀的运送到静电荷网络层进行中和，可提高LED芯片的抗静电能力。

本文源自金融界