长鑫存储申请静电保护结构、芯片专利专利技能能达到的效果为具有较小的尺寸_部位_衬底

专利择要显示，本公开涉及半导体技能领域，供应一种静电保护构造和芯片，静电保护构造包括：半导体衬底、N型阱、P型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二P型掺杂部、第二N型掺杂部。
N型阱、P型阱位于半导体衬底内；第一N型掺杂部、第二P型掺杂部位于P型阱内，第一P型掺杂部、第二N型掺杂部位于N型阱内。
第一N型掺杂部为“T”型构造，第一P型掺杂部为“U”型构造，第一N型掺杂部的部分构造位于第一P型掺杂部的“U”型口内。
第二P型掺杂部位于第一N型掺杂部阔别第一P型掺杂部的一侧，第二N型掺杂部位于第一P型掺杂部阔别第一N型掺杂部的一侧。
第二P型掺杂部和第二N型掺杂部电连接。
该静电保护构造具有较小的尺寸。

本文源自金融界