长鑫存储申请半导体结构专利专利技能能统一多个存储芯片的通信延时并提高运行速度_所述_芯片

专利择要显示，本公开履行例涉及半导体领域，供应一种半导体构造、半导体构造的制造方法和半导体器件，半导体构造包括：逻辑芯片，具有供电端口；存储模块，位于所述逻辑芯片的上表面，所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；每个所述存储芯片具有供电旗子暗记线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，且所述供电布线层与所述供电旗子暗记线电连接；所述供电布线层朝向或阔别所述逻辑芯片的端面被所述存储芯片露出；所述供电布线层被露出的端面与所述供电端口电连接。
本公开履行例至少可以统一多个存储芯片的通信延时，且提高运行速率，还有利于提高供电的稳定性。

本文源自金融界