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LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer FabricatiON）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal TeST）等几个步骤。个中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处理工序
本工序的紧张事情是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序常日与产品种类和所利用的技能有关，但一样平常基本步骤是先将晶圆适当洗濯，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，终极在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2、晶圆针测工序
经由上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一样平常情形下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据须要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上暗号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3、构装工序
便是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，末了盖上塑胶盖板，用胶水封去世。其目的是用以保护晶粒避免受到机器刮伤或高温毁坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些玄色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4、测试工序
芯片制造的末了一道工序为测试，其又可分为一样平常测试和分外测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如花费功率、运行速率、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而分外测试则是根据客户分外需求的技能参数，从附近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能知足客户的分外需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一样平常测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情形定作降级品或废品。
LED 芯片的制造工艺流程：
外延片→洗濯→镀透明电极层→透明电极图形光刻→堕落→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 堕落→去胶→N极图形光刻→预洗濯→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对付不符合干系哀求的晶圆片道别的处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED 方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也便是目前市场上的LED 大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。
LED 芯片的制造工艺流程
实在外延片的生产制作过程是非常繁芜的，在展完外延片后，下一步就开始对LED 外延片做电极（P 极，N 极），接着就开始用激光机切割LED 外延片（以前切割LED 外延片紧张用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。
1、紧张对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再连续做下一步的操作，如果这九点测试不符合干系哀求的晶圆片，就放在一边其余处理。
2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要利用放大30 倍数的显微镜下进行目测。
3、接着利用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、末了对LED 芯片进行检讨（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中央，蓝膜上最多有5000 粒芯片，但必须担保每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000 粒，芯片类型、批号、数量和光电丈量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做末了的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整洁和质量合格。这样就制成LED 芯片（目前市场上统称方片）。在LED 芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些便是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货哀求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。
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