国产闪存芯片迎打破！光谷量产中国首款64层三维闪存芯片_闪存_芯片

3D NAND即三维闪存技能，基于该技能的闪存芯片就像是立体停车场，在同样的“占地面积”之下能够容纳更多倍数据量。
Xtacking®架构是长江存储自主研发的一种打破性3D闪存架构，它就像一个由无数根罗马柱支撑起的宫殿，能够在两片独立的晶圆上，分别加工外围电路和存储单元。
当两片晶圆各自落成后，该技能只需一个处理步骤，就可通过数十亿根垂直互联通道，将两片晶圆键合。
比较传统三维闪存架构，该技能可带来更快的写入和读取传输速率、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储联席首席技能官、技能研发中央高等副总裁程卫华表示，随着5G、人工智能和超大规模数据中央时期的到来，闪存市场的需求将持续增长。
64层3DNAND闪存产品量产后，长江存储还操持推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘等产品，为环球存储器市场康健发展注入新动力。

2016年12月，国家存储器基地在武汉光谷启动培植。
它标志着中国集成电路存储芯片家当，在规模化发展上实现了“零”的打破。
短短两年间，存储器基地一号芯片生产厂房封顶、海内首颗自主研发32层三维闪存芯片研发问世、芯片生产机台安装调试、首台光刻机进厂调试。
环绕“一芯驱动”计策布局，一座芯片之城在光谷加速崛起。