实在滤波该当也包含两个方面，也便是各位所说的大容值和小容值的，便是去耦和旁路。事理我就不说了，实用点的，一样平常数字电路去耦0.1uF即可，用于10M以下；20M以上用1到10个uF，去除高频噪声好些，大概按C=1/f 。旁路一样平常就比较的小了，一样平常根据谐振频率一样平常为0.1或0.01uF。
说到电容，各种各样的叫法就会让人头晕眼花，旁路电容，去耦电容，滤波电容等等，实在无论如何称呼，它的事理都是一样的，即利用对互换旗子暗记呈现低阻抗的特性，这一点可以通过电容的等效阻抗公式看出来：
Xcap=1/2лfC，事情频率越高，电容值越大则电容的阻抗越小。在电路中，如果电容起的紧张浸染是给互换旗子暗记供应低阻抗的通路，就称为旁路电容；如果紧张是为了增加电源和地的互换耦合，减少互换旗子暗记对电源的影响，就可以称为去耦电容；如果用于滤波电路中，那么又可以称为滤波电容；除此以外，对付直流电压，电容器还可作为电路储能，利用冲放电起到电池的浸染。而实际情形中，每每电容的浸染是多方面的，我们大可不必花太多的心思考虑如何定义。本文里，我们统一把这些运用于高速PCB设计中的电容都称为旁路电容。
电容的实质是通互换，隔直流，理论上说电源滤波用电容越大越好。
但由于引线和PCB布线缘故原由，实际上电容是电感和电容的并联电路，（还有电容本身的电阻，有时也不可忽略）
这就引入了谐振频率的观点：ω=1/(LC)1/2
在谐振频率以下电容呈容性，谐振频率以上电容呈感性。
因而一样平常大电容滤低频波，小电容滤高频波。
这也能阐明为什么同样容值的STM封装的电容滤波频率比DIP封装更高。
至于到底用多大的电容，这是一个参考。
电容谐振频率
电容值 DIP (MHz) STM (MHz)
1.0μF 2.5 5
0.1μF 8 16
0.01μF 25 50
1000pF 80 160
100 pF 250 500
10 pF 800 1.6(GHz)
不过仅仅是参考而已，用老工程师的话说——紧张靠履历。
更可靠的做法是将一大一小两个电容并联，一样平常哀求相差两个数量级以上，以得到更大的滤波频段。
一样平常来讲，大电容滤除低频波，小电容滤除高频波。电容值和你要滤除频率的平方成反比。
详细电容的选择可以用公式C=4PiPi /(R f f )
电源滤波电容如何选取，节制其精髓与方法，实在也不难。
1）理论上空想的电容其阻抗随频率的增加而减少(1/jwc)，但由于电容两端引脚的电感效应，这时电容该当算作是一个LC串连谐振电路，自谐振频率即器件的FSR参数，这表示频率大于FSR值时，电容变成了一个电感，如果电容对地滤波，当频率超出FSR后，对滋扰的抑制就大打折扣，以是须要一个较小的电容并联对地，可以想想为什么?
缘故原由在于小电容，SFR值大，对高频旗子暗记供应了一个对地通路，以是在电源滤波电路中我们常常这样理解:大电容虑低频，小电容虑高频，根本的缘故原由在于SFR(自谐振频率)值不同，当然也可以想想为什么?如果从这个角度想，也就可以理解为什么电源滤波中电容对地脚为什么要尽可能靠近地了。
2)那么在实际的设计中，我们常常会有疑问，我怎么知道电容的SFR是多少?就算我知道SFR值，我如何选取不同SFR值的电容值呢?是选取一个电容还是两个电容?
电容的SFR值和电容值有关，和电容的引脚电感有关，以是相同容值的0402，0603，或直插式电容的SFR值也不会相同，当然获取SFR值的路子有两个:
1)器件Data sheet，如22pf0402电容的SFR值在2G旁边，
2)通过网络剖析仪直接量测其自谐振频率，想想如何量测?S21?
知道了电容的SFR值后，用软件仿真，如RFsim99，选一个或两个电路在于你所供电电路的事情频带是否有足够的噪声抑制比。仿真完后，那便是实际电路试验，如调试手机吸收灵敏度时，LNA的电源滤波是关键，好的电源滤波每每可以改进几个dB。
说的普通一点，把电容当作一个正在漏水的怀子，把互换电的峰值到来时看作给怀子加水，在漏水量相等的情形下，那么加水次数的频率高就多用小点的怀子，这样就能保准水位是高的，相反，在加水次数低频下怀子小了，没等第二次来水时怀中的水位已经低落好多了，以是要用大的水怀来缓和因漏水造成的水位低落。
文章二：引用为什么在一个大的电容上还并联一个小电容
由于大电容由于容量大，以是体积一样平常也比较大，且常日利用多层卷绕的办法制作（动手拆过铝电解电容该当会很有体会，没拆过的也可以拿几种不同的电容拆来看看），这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。
大家知道，电感对高频旗子暗记的阻抗是很大的，以是，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，由于一段导线也可以算作是一个电感的），而且常利用平板电容的构造，这样小容量电容就有很小的ESL，这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频旗子暗记的阻抗大。
以是，如果我们为了让低频、高频旗子暗记都可以很好的通过，就采取一个大电容再并上一个小电容的办法。常利用的小电容为0.1uF的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF、几百pF的。而在数字电路中，一样平常要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这电容叫做去耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好），由于在这些地方的旗子暗记紧张是高频旗子暗记，利用较小的电容滤波就可以了。
电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式
1.串联公式：C = C1C2/(C1 + C2) 2.并联公式C = C1+C2+C3
补充部分：
串联分压比 V1 = C2/(C1 + C2)V ........电容越大分得电压越小，互换直流条件下均如此 并联分流比 I1 = C1/(C1 + C2)I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是互换条件下
一个大的电容上并联一个小电容
大电容由于容量大，以是体积一样平常也比较大，且常日利用多层卷绕的办法制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。
电感对高频旗子暗记的阻抗是很大的，以是，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，由于一段导线也可以算作是一个电感的），而且常利用平板电容的构造，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频旗子暗记的阻抗大。
以是，如果我们为了让低频、高频旗子暗记都可以很好的通过，就采取一个大电容再并上一个小电容的办法。
常利用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一样平常要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），由于在这些地方的旗子暗记紧张是高频旗子暗记，利用较小的电容滤波就可以了。
空想的电容，其阻抗随频率升高而变小（R＝1/jwc）, 但空想的电容是不存在的，由于电容引脚的分布电感效应，在高频段电容不再是一个纯挚的电容，更该当把它算作一个电容和电感的串联高频等效电路，当频率高于其谐振频率时，阻抗表现出随频率升高而升高的特性，便是电感特性，这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性。
大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛的用到，根本缘故原由就在于电容的自谐振特性。大小电容搭配可以很好的抑制低频到高频的电源滋扰旗子暗记，小电容滤高频（自谐振频率高），大电容滤低频（自谐振频率低），两者互为补充。
